文档介绍：海南风光
第11章基本放大电路
场效应管共源极放大电路
补充:场效应管共漏极放大电路
清华大学电机系电工学教研室唐庆玉编
答疑
1. 线形电阻的伏安特性曲线
U
I
R
U
I
U/I=R
U/ I=R
2. 晶体管BE结微变等效电路
IB
UBE
Q
UBEQ / IBQ =R
非线性
UBE / IB =rbe
在Q点处近似线性
UBE
IB
rbe
答疑
U
I
IS
IS
U
I
U
I
Ir
IS
r
U
I
IS
I1=IS+Ir1
=IS+U1/r
I2=IS+Ir2
=IS+U2/r
I= I2 -I1
=( U2 - U1 )/r
= U/r
r= U/ I
如何求r?
答疑
4. 晶体管CE间的微变等效电路
iC
uCE
iC
uCE
rbe
ib
ib
rce
流控电流源
在线性放大区,rce很大,可忽略
§ 场效应晶体管
场效应管与晶体管不同,它是多子导电,输入阻抗高,温度稳定性好。
结型场效应管JFET
绝缘栅型场效应管MOS
场效应管有两种:
N沟道
P沟道
耗尽型
增强型
耗尽型
增强型
MOS绝缘栅场效应管(N沟道)
(1) 结构
P
N
N
G
S
D
P型基底
两个N区
SiO2绝缘层
金属铝
N导电沟道
未预留 N沟道增强型
预留 N沟道耗尽型
P
N
N
G
S
D
N沟道增强型
(2)符号
N沟道耗尽型
G
S
D
栅极
漏极
源极
G
S
D
N沟道MOS管的特性曲线
ID
mA
V
UDS
UGS
实验线路(共源极接法)
G
S
D
RD
P
N
N
G
S
D
NMOS场效应管转移特性
N沟道耗尽型
(UGS=0时,有ID)
G
S
D
0
UGS(off)
ID
UGS
夹断电压
UGS有正有负
N沟道增强型
(UGS=0时,ID =0 )
G
S
D
ID
UGS
UGS(th)
开启电压
UGS全正
UGS=3V
U DS (V)
ID(mA)
0
1
3
2
4
UGS=4V
UGS=5V
UGS=2V
UGS=1V
开启电压UGS(th)=1V
固定一个U DS,画出ID和UGS的关系曲线,称为转移特性曲线
增强型NMOS场效应管
输出特性曲线