文档介绍：复习
1. N沟道结型场效应管
(1)特性曲线
(2)电流方程
(工作于恒流区)
(1)特性曲线
(2)电流方程
2. N沟道增强型MOS管(无原始导电沟道)
(工作于恒流区)
3. N沟道耗尽型MOS管(有原始导电沟道)
(1)特性曲线
(2)电流方程
(工作于恒流区)
注意
P沟道管VGG和VDD的极性应与N沟道管的相反。
场效应管放大电路(以N沟道管为例)
场效应管:压控元件(iD=gmuGS)
主要用于高输入阻抗放大器的输入级
场效应管放大电路的三种接法
①共源接法
②共漏接法
③共栅接法(极少用)
场效应管放大电路静态Q点的设置方法及其分析计算
(以共源电路为例)
一、基本共源电路
1. 电路组成
①N沟道增强型MOS管
②栅极电源VGG
放大
要求VGG>UGS(th)
③漏极电源VDD:
要求:VDS>uGS-UGS(th)
④Rd:
将电流的变化转化成电压的变化
2. 静态Q点的确定
①图解法
令
则
UGSQ=VGG
输出特性曲线
uDS=VDD-iDRd
交点Q
IDQ
UDSQ
存在的问题:双电源供电
②估算法
UGSQ=VGG,
UDSQ=VDD-IDQRd
二自给偏压电路
1. 结型场效应管放大电路
(1)电路组成
自给偏压
(2)静态Q点的确定
静态时
2. 耗尽型MOS管放大电路
静态时
三、分压式偏置电路
1. 电路组成
分压式偏置电路
2. 静态Q点的确定
静态时
于是,有
说明
Rg3的作用是为使Ri增大
场效应管放大电路的动态分析
一、场效应管的低频小信号等效模型
(以N沟道增强型MOS管为例)
将场效应管视为二端口网络
栅—源之间只有电压uGS,而无电流
iD=f(uGS,uDS)
取全微分得
+
-
-
+
令
若信号较小,则gm和rds近似为常数
于是,有
场效应管的低频小信号等效模型如图所示