文档介绍：晶闸管的派生器件
双向晶闸管
逆导晶闸管
快速晶闸管
光控晶闸管
一、双向晶闸管
1、结构:五层(NPNPN)三端的硅半导体闸流元件。
螺栓式
平板式
一、双向晶闸管
1、结构:五层(NPNPN)三端的硅半导体闸流元件。
相当于两个门极接在一起的普通晶闸管反并联。
T1
T2
G
G
T1
T2
G
一、双向晶闸管
2、特性
U
I
Ⅰ
Ⅲ
IG=0
T1为正 T2为负
T1为负 T2为正
一、双向晶闸管
2、特性
U
I
Ⅰ
Ⅲ
IG=0
T1为正 T2为负
T1为负 T2为正
触发方式
Ⅰ+触发:T1为正,T2为负;门极为正,T2为负。Ⅰ-触发:T1为正,T2为负;门极为负,T2为正。
Ⅲ+触发:T1为负,T2为正;门极为正,T2为负。
Ⅲ-触发:T1为负,T2为正;门极为负,T2为正。
常用触发方式:Ⅰ+ 、Ⅲ-
一、双向晶闸管
3、参数及型号
主要参数与普通晶闸管基本一致。
IT(RSM):额定通态电流。其额定电流是用有效值定义的。
系列
KS1
KS10
KS20
KS50
KS100
KS200
KS400
KS500
IT(RSM)
1
10
20
50
100
200
400
500
一、双向晶闸管
3、参数及型号
UDRM:断态重复峰值电压(额定电压) 。应用时通常取两倍的裕量。
等级
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
12
14
16
18
20
UDRM(V)
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1200
1400
1600
1800
2000
一、双向晶闸管
3、参数及型号
其它参数
等级
2
5
du/dt
(V/μs)
≥20
≥50
≥200
≥500
等级
1
di/dt
(A/μs)
≥%IT(RSM)
≥%IT(RSM)
≥1%IT(RSM)
断态电压临界上升率分级规定
换向电流临界下降率(di/dt)的规定
一、双向晶闸管
3、参数及型号
K S
电流临界下降率等级数
断态电压临界上升率级数
断态重复峰值电压级数
额定通态电流值(正弦有效值)
双向
闸流特性
二、逆导晶闸管
将普通晶闸管和整流二极管集成的器件。
A
K
G
A
K
G
U
I
IG=0