文档介绍：第7章分立元件放大电路
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静态工作点的稳定
共集电极电路
多级放大电路
基本放大电路
半导体器件
功率放大电路
半导体器件
半导体的特性:
(可制成温度敏感元件,如热敏电阻)
掺杂性:往纯净的半导体中掺入某些杂质,会使
其导电能力明显改变。
光敏性:当受到光照时,其导电能力明显变化。
(可制成各种光敏元件,如光敏电阻、
光敏二极管、光敏三极管、光电池等)。
热敏性:当环境温度升高时,导电能力显著增强。
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1. 本征半导体
完全纯净的、结构完整的半导体晶体,称为本征半导体。
硅和锗的晶体结构
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PN结
硅和锗的共价键结构
共价键共用电子对
共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中,称为束缚电子。
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+4
+4
+4
+4
自由电子
空穴
束缚电子
在常温下,由于热激发,使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚,成为自由电子(带负电),同时共价键上留下一个空位,称为空穴(带正电)。
本征半导体的导电机理
这一现象称为本征激发。
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本征半导体的导电机理
在其它力的作用下,空穴吸引临近的电子来填补,其结果相当于空穴的迁移。
空穴的迁移相当于正电荷的移动,因此可以认为空穴是载流子。
因常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子,因此本征半导体中的自由电子和空穴很少,所以本征半导体的导电能力很弱。
当半导体外加电压时,在电场的作用下将出现两部分电流:
1)自由电子作定向移动电子电流
2)价电子递补空穴空穴电流
+4
+4
+4
+4
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本征半导体的导电机理
本征半导体中存在数量相等的两种载流子,即自由电子和空穴。
温度越高,载流子的浓度越高,本征半导体的导电能力越强。温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素,这是半导体的一大特点。
本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。
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2. N型半导体和P型半导体
N 型半导体
掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度,所以,自由电子浓度远大于空穴浓度。
自由电子称为多数载流子(多子),
空穴称为少数载流子(少子)。
+4
+4
+4
+4
+5
多余电子
磷原子
掺入五价元素
在常温下即可变为自由电子
失去一个电子变为正离子
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P 型半导体
掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度,所以,空穴浓度远大于自由电子浓度。
空穴称为多数载流子(多子),
自由电子称为少数载流子(少子)。
+4
+4
+4
+4
+3
硼原子
空穴
掺入三价元素
接受一个电子变为负离子
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杂质半导体的示意表示法
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P 型半导体
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N 型半导体
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无论N型或P型半导体都是中性的,对外不显电性。
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