文档介绍：共射放大电路
图解分析方法
小信号模型分析法
放大电路的频率响应
共集电极电路和共基极电路
放大电路的工作点稳定问题
晶体三极管
第 3 章半导体三极管及放大电路基础
一、晶体管三极管的结构及类型
二、晶体管三极管的电流放大作用
四、晶体管三极管的主要参数
三、晶体管三极管的共射特性曲线
晶体三极管
N
N
P
基极
发射极
集电极
NPN型
B
E
C
B
E
C
PNP型
P
P
N
基极
发射极
集电极
符号:
B
E
C
IB
IE
IC
B
E
C
IB
IE
IC
(Semiconductor Transistor)
collector
base
emitter
一、晶体三极管的结构和类型
按材料分: 硅管、锗管
按功率分: 小功率管< 500 mW
按结构分: NPN、 PNP
按使用频率分: 低频管、高频管
大功率管> 1 W
中功率管 1 W
分类:
小功率管
中功率管
大功率管
1. 三极管放大的条件
1)三极管放大的内部条件
基区:最薄,
掺杂浓度最低
发射区:掺
杂浓度最高
发射结
集电结
B
E
C
N
N
P
基极
发射极
集电极
集电区:
面积最大
二、电流放大作用
B
E
C
N
N
P
EB
RB
EC
RC
发射结正偏、集电结反偏
PNP
发射结正偏 VB<VE
集电结反偏 VC<VB
从电位的角度看:
NPN
发射结正偏 VB>VE
集电结反偏 VC>VB
2)三极管放大的外部条件
2. 满足放大条件的三种电路
ui
uo
C
E
B
E
C
B
ui
uo
E
C
B
ui
uo
共发射极
共集电极
共基极
B
E
C
N
N
P
EB
RB
EC
IE
IEP
ICE
ICBO
基区空穴向发射区的扩散可忽略。
集电结反偏,有基区的电子和集电区的空穴等少子形成的反向电流ICBO。
3. 三极管内部载流子的传输过程
IEN
(1). 发射结正偏,扩散运动形成发射极电流IE
(2). 扩散到基区的电子与空穴复合,形成基极电流IB
IB
(3). 集电结加反向电压,漂移运动形成集电极电流IC
IBE
IC = ICE+ICBO
IC
IB
IB = IBE- ICBO
ICE 与 IBE 之比称为共发射极电流放大倍数
当管子制成后,发射区载流子浓度、基区宽度、集电结面积等确定,故电流的比例关系确定,即:
4. 三极管的电流分配关系
B
E
C
N
N
P
EB
RB
EC
IE
IEP
ICE
ICBO
IEN
IB
集-射极穿透电流
(常用公式)
若IB =0, 则
温度ICEO
IC
IB
B
E
C
N
N
P
EB
RB
EC
IE
IBE
ICE
ICBO
为什么基极开路集电极回路会有穿透电流?