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晶体管二次击穿测试仪.doc

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文档介绍

文档介绍:BJ2989D晶体三极管正偏二次击穿
测试系统简介
概述
BJ2989D晶体管正偏二次击穿测试系统可测试中、大功率NPN型晶体三极管热阻参数的二次击穿电压。采用计算机自动控制测试,测试结果自动处理,十分方便快捷,可自动绘制构成器件安全工作区重要的二次击穿功率PSB曲线。
本系统的主要特点
●正偏二次击穿电压测试可测试NPN型晶体三极管;
●二次击穿测试过程中对被测管保护速度快,关断时间小于500ns,能够有效避免被测管在测试过程中损坏;
●采用通用微机控制,基于Windows系统的控制软件,具有友好的人机交互界面,窗口填表式编程,测试结果以表格及图形曲线方式显示,使您轻松掌握测试。
二次击穿功率PSB曲线

本系统的主要技术指标
测试电压源
电压范围
负载能力
备注
0—300V

测试电流源
电流量程
分辨力
精度
-250mA~250mA
122uA
±(610uA+2%set)
±(250mA~)A

±(+2%set)
±(~)A

±(61mA+2%set)
VSB测试电压范围及精度
电压量程
分辨力
精度
-~
mV
±(+%Rdg)
±(~)V

±(+%Rdg)
±(~) V

±(+%Rdg)
±(~65) V

±(+%Rdg)
±(65~130) V

±(+%Rdg)
±(260~300) V

±(+%Rdg)
测试电流源施加条件
脉宽:50us、100us、1ms、10ms 、100ms、直流;
占空比:1:2、1:4、1:8、1:16、1:32、1:64、直流。
脉宽与占空比可进行以上选项任意组合选择。