文档介绍：电子科技大学成都学院
实验报告册
课程名称: 单片机实验
姓名: 刘阳
学号: 2940710616
院系: 电子科大成都学院微电系
专业: 嵌入式
教师: 王怡
2011 年 12 月 4 日
实验一:单片机最小系统原理图设计
实验目的:
学****最小系统包括单片机、复位电路、时钟电路、编程口、电源口、 RAM和ROM;
二、实验原理和内容:
:型号AT89S51 封装为DIP40
:上电复位原理用RC电路实现;上电复位时间100ms;
:可使用外部时钟,也可以使用内部时钟;频率自选;
。
:1)RAM: 6264(8KB) 封装为DIP28
2)ROM: TMS2764 封装为DIP28
三、实验数据
1)单片机外部数据存储空间和程序存储空间的特点?
数据存储器和程序存储器分开编址,并有各自的寻址方式和寻址单元。对存储器的划分在物理上分为4个空间:片内数据存储器、片内程序存储器、片外数据存储器、片外程序存储器,在逻辑上划分为3个空间:偏内外程序存储器、片外数据存储器、片内数据存储器。
2)单片机外部总线的功能及特点?
可以传输数据,可以进行拓展和其他的控制器进行通信,使单片机可以作为主机,也可以作为从机。
3)RC复位电路的原理以及RC复位电路电阻、电容选择的计算过程和依据?
原理:电阻给电容充电,,时芯片复位脚近似低电平,于是芯片复位,时芯片复位脚近高电平,于是芯片停止复位,复位完成。
电阻电容的选择可以通过公式u+Ae^(t/rc)/1或u-Ae^(t/rc)/1算出。U=5v T=3rc---5rc,t=100ms,=4r*10^(-5);有c=10uf,r=。
4)根据所选择的时钟频率,计算单片机的机器周期?
fosc=6MHZ Tosc= Tcy=12*Tosc=2us
5)说明flash器件的写操作,与通常对RAM的写操作有何不同?
写Flash和写SRAM截然不同。它是通过一系列指令才能完成一个写操作的。而我们同用的RAM直接写入即可。无论是NOR Flash 还是NAND Flash都有一个“扇区”的概念。这个“扇区”从8K到256K不等。在写操作中它将作为一个整体来操作。要向某个地址里面写如一个值得先看一下这个地址原先的值是不是全为“1“。如果全为“1”,那么通过一系列指令可以将这个值写如。反之,则先要进行擦除使其全部变为“1”。擦除操作是不能用一个地址来操作的。擦除必须一次擦除一个“扇区“。把这个“扇区”所有的值都变为“1”,然后才能进行写操作。
6)说明程序存储器和数据存储器所用控制总线的不同?程序存储器和数据存储器所占用的地址是如何实现的?
地址总线、数据总线、控制总线。传递数据的过程是先寻址,再传递数据。即先送一个地址信息(由微处理器向总线写一个地址信息),由寄存器(也可能是程序存储器,也可能是数据存储器)根据这个地址,把微处理器要读取的数据写到总线上,微处理器再读取这个数据。
程序存储器、数据存储器有不同的选通信号,在一个指令周期里,是不同的时间选通的。
(1)选通的引脚不同,对片外数据存储器讲,是P3的第6和第7引脚做选通信号,程序存储器是PSEN做选通信号;
(2)指令不同,用汇编指令讲,MOV是程序存储器传递数据用,MOVX是数据存储器传递数据用。
7)说明所选择的器件的完整型号,以及器件的完整信息。
AT89S51:最小系统核心,共40个引脚,按功能分可以分为3类。a:电源及时钟引脚。b:控制引脚。c:I/O口引脚。其为DIP封装。
TM2764:ROM有28个引脚,cycle time为200ns,工作温度-10度——85度。
CY6264:RAM有28个引脚,最大存取时间55ns,工作温度0度——70度。
IDC:ISP下载程序时的端口,共10个引脚。上电复位电路,时钟电路。
8)数据总线,地址总线,控制总线在单片机中的用途。
(1)数据总线是传送数据的,传输给该地址命令或数据;
(2)地址总线是传送地址的,控制总线发送信号给地址总线:片选及要操作的地址
9)ISP端口每一个信号的含义?
(SCK):为移位脉冲引脚 RST:复位引脚
(SS):只对AT89LP系列有效 Vcc:电源
MOSI/:串行输入和 MOSI/:串行输出
GND:接地
10)你所设计的RAM,ROM地址的范围。
RAM(6264): C000H-----DFFFH ROM