文档介绍：电力电子技术
填空题
电力电子器件一般工作在开关状态。
在通常情况下,电力电子器件的功率损耗主要为通态损耗,当器件功率较高时,功率损耗主要为开关损耗。
电力电子器件组成的系统,一般由控制电路、驱动电路和一电力电子器件为核心的主电路三部分组成的。
按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为
电力二极管的工作特性可概括为正向导通、反向截止。
电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。
肖特基二极管的开关损耗快恢复二极管的开关损耗。
晶闸管的基本工作特性可可概括为正向有触发则导通,反向截止。
对同一晶闸管,维持电流IH与擎性电流IL在数值上有IL=2-4倍IH.
晶闸管断态重复峰值电压UDRM与转折电压Ubo数值上应为UDRM<Ubo。
逆导晶闸管是讲二极管与晶闸管并联在同一管芯上的功能集成器件。
GTO的阴极门极在器件内部并联在一起的结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
功率集成管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为
MOSFET的漏极伏安特性中三个区域与GTR共发射极接法的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的截止区,前者的饱和区对应后者的放大区,前者的非饱和区对应后者的饱和区。
电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数。
IGBT的开启电压随温度升高而略有下降,开关速度与电力MOSFET相同。
功率集成电路PIC分为两大类,一类是高压集成电路,另一类是智能功率集成电路。
按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可分为电流驱动型和电压器驱动型两类。
为了利于功率晶体管的关断,驱动电流上升沿应是小于1US。
GTR的驱动电路中抗饱和电路的主要作用是可使GTR 导通时处于临界饱和状态。
抑制过电压的方法之一是用RC过电压抑制电路吸收可能产生过电压的能量,并用电阻将其损耗,在过电流保护中,快速熔断的全保护适用于短路时功率装