KJ霍尔效应.ppt

文档介绍：Edwin Hall(1855~1938)
霍尔效应是霍尔(Hall)24岁时在美国霍普金斯大学研究生期间,研究关于载流导体在磁场中的受力性质时发现的一种现象。
一、霍尔效应的原理
如果在一块矩形半导体薄片上沿X轴方向通以电流,在Z轴方向上加磁场B,则在垂直于电流和磁场的方向(即Y轴方向)上产生电势差,这一现象称为霍尔效应。称为霍尔电压。产生霍尔效应的原因是形成电流的作定向运动的带电粒子即载流子(N型半导体中的载流子是带负电荷的电子,P型半导体中的载流子是带正电荷的空穴)在磁场中所受到的洛仑兹力作用而产生的。
- - - - -
+ + + + +
电场力和洛伦兹力相等时,有:
电流与漂移速度的关系:
霍尔电压与场强的关系:
霍尔参数
霍尔灵敏度
载流子浓度
霍尔系数
电导率
迁移率
霍尔效应测试仪
霍尔效应实验仪
二、实验仪器
由电磁铁(2500GS/A)、霍尔样品及调节架、双刀双掷开关构成。
霍尔效应实验仪的部件之一:电磁铁(2500GS/A)
霍尔样品及调节架
调节架上的水平和垂直刻度