文档介绍：1 绪论
选题的背景与意义
近几年来,随着现代社会的不断进步,世界的经济将发生巨大变革,知识经济开始替代工业经济,这对世界经济的发展将有很大推动力。随着神舟飞船的首次载人飞行,嫦娥饶月的的实现,中国的这些高科技技术的成功,让西方国家震惊不已,谁拥有电力电子这种先进的高薪科技产品,谁就掌握竞争的优势。但是总体说来我落后于,远远跟不上我国国民经济发展的需要,特别是还面临着国外产品严重冲击,因此,我们必需清醒地认识到这一挑战并且要勇敢地面对。因此电力电子交流电路模拟仿真的研究已成为我国的研究热点之一。
电力电子电路最基本的拓扑形式,近年来一些新的电路拓扑形式如谐振型逆变电路、矩阵式变频电路等不断涌现。人们也期待着通过对电力电子电路拓扑的不断研究,发现一些更新的拓扑形式,使电力电子装置性能更为优良。
电力电子作为节能、节才、自动化、智能化、机电一体化的基础,正朝着应用技术高频化、硬件结构模块化、产品性能绿色化的方向发展。电力电子技术的应用范围已无处不在在如交通系统和电力系统,此外,电力电子技术用于宇宙开发也正在引起人们的广泛关注。在不远的将来,电力电子技术将使电源技术更加成熟、经济、实用,实现高效率和高品质用电相结合。
国内外电力电子技术的现状
国外电力电子技术发展的状况
自从半导体问世以来,经过几十年来的发展,电力电子技术从以低频技术处理问题为主的传统电力电子学,向以高频技术处理问题为主的现代电力电子学方向转变。八十年代末期和九十年代初期发展起来的、以功率MOSFET和IGBT为代表的、集高频、高压和大电流于一身的功率半导体复合器件,表明传统电力电子技术已经进入现代电力电子时代。
电力电子技术发展的变换主要体现在器件上[2],几十年来,以晶闸管为基础的可控硅整流装置使直流传动占据了传动领域的统治地位。然而,晶闹管毕竟是一种半控型器件,只能导通,不能关断,被称为第一代半导体器件。半控型器件在交流传动及变频调速中无法大显身手。70年代来,陆续发明的功率晶体管(GTR)门投可关断品闸管(GTO)、功率MOS场效空管、绝缘栅极晶体管(IGBT)、静电感应晶体管(SITH)等等全控型器件,在线路中, 既能控制其导通又能控制其关断, 则被称为第二代电力半导体器件。它们在结构上是把若干个(直至数十万个)具有相同功能的元胞进行并联集成,在制造上采用把晶闸管向高电压、大电流方向发展所积累起来的各种经验同微电子的微细加工方面的成就相结合的成果。90年代, 将综合这些器件的优点而研制成MOS栅控晶闸管(MCT)和场控GTO (MOS GTO)将成为国际上第三代电力电子器件。这些器件进一步把具有不同功能的控制单元、逻辑单元、传感单元、量测单元和保护单元集成一体, 既具有电路功能, 又使用更为方便可靠,正受到举世瞩目。
电力电子技术是能源技术、电子技术和控制技术三大领域的交叉,其主要功能是利用大功率半导体器件及其相应的控制与保护电路实现对电能某些参量和特性( 电压、电流、频率、相位、相数、波形等)的控制与交换,以实现电力的某些使用目的,并提高使用的质量与效率。80年代以来,电力电子技术作为高新技术、基础技术和节能技术,其应用领域已经全面深入地渗透到经济、国防、科技和社会生活的各个方面。它是当今世界发展最快、潜力巨大的产业之一,电力电子技术产业发展的成功与否,对一个有着重要的影响,所以,世界各国对电力电子技术都很重视,加快了电力电子产业化的进程
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国内电力电子技术发展的状况
不容置疑,我国国民经济的发展对电力电子应用技术具有十分巨大的需求。为了迅速改变我国电力电子技术的落后状况,适应国际市场严峻的竞争形势,我国政府也下了很大的决心和采取了很多措施大力发展电力电子技术,电力电子技术已被列入国家“九五”科技发展规划和国家关键新技术发展计划。到90年代,我国在某些现代电力电子技术,如软开关、功率因数校正、IGBT的应用、并联均流、智能控制、谐波治理、计算机仿真等的开发和应用方面取得了一些成就,有些研究成
果已在产业部门中得到推广和应用。但是,总的说来我,远跟不上我国国民经济发展的需要,特别是还面临着国外产品严重冲击的严峻形势。国产功率器件目前主要还限于不控或半控器件(整流管和可控硅)。大功率结型全控器件(GTO,GTR)虽有引进,但因市场和质量等原因,至今未能形成批量生产能力;场控器件(功率MOS、IGBT等和智能功率模块IPM)全靠进口。目前国产的电力电子装置还主要局限于利用大功率整流管和硅晶闸管生产的整流电源、直流调速和可控硅静止变频装置,而反映当代电力电子装置发展方向的高技术产品在我