文档介绍：具有双速/双电平故障保护的热插拔控制器
具有双速/双电平故障保护的热插拔控制器
当插卡(或接口板)在主板带电的情况下插入或拔出时,由于插卡上滤波电容的放电作
用会对主电源呈现低阻状态,造成主电源损坏。图一所示电路能够在可编程的开启时间内对
负载电流加以限制、调节,保证系统在热插拔过程中安全、可靠工作。正常工作状态下,MAX4370
内部的两个比较器(低速/高速比较器)提供双速/双电平短路和过流保护,电源电压范围+3V
至+12V,内置电荷泵控制器为外部 N 沟道 MOSFET 功率开关提供栅极驱动。检测到系统故障
时,MAX4370 将处于锁存状态。
开启状态:
系统上电时,MAX4370 处于开启状态,开启时间由外接电容 CTIM 决定,内部低速比较器
不工作,通过以下两个途径为系统提供电流限制:
1、控制外部的 MOSFET 栅极驱动电压,使供给负载的电流缓慢上升。
2、通过调整外部限流电阻的电压限制流入负载的电流。
当高速比较器检测到过流时,栅级电压以固定的 80μA 电流通过限流电阻放电,从而有效控
制了上电期间的导通电流。
正常工作模式:
开启过程结束后,MAX4370 进入正常工作模式,利用两个比较器以不同的检测门限(双
电平)和响应时间(双速)检测负载电流,一旦检测到故障,则断开 MOSFET。检测过程为:
1、低速比较器的的响应时间由外接电容 CSPD 确定(tCSPD(ms)= x CSPD(nF)),CSPD 引脚
浮空时,响应时间为默认值 20μs;检测门限电压为固定的 50mV;低速比较器对瞬态小
电流没有响应,当检测到过流时,MOSFET 栅极被放电,而后关断 MOSFET。
2、高速比较器的响应时间和检测门限电压均为固定值,门限电压为 200mV,当检测到故障时,
立即断开 MOSFET。
出现故障时,STAT 引脚输出低电平,MAX4370 处于锁存状态,要清除锁存状态需在 ON 引脚
输入一负脉冲,脉冲宽度应大于 20μs。
应用:
1、选择 N 沟道 MOSFET:N 沟道 MOSFET 的额定电流应满足负载电流的要求;在满负荷范围内,
MOSFET 的导通电阻 RDS(ON)应足够小,以降低栅漏间的压差减小功耗,当负载电流为 1A
时,可选用 IR 公司的 IRLMS1503。参考表一。
2、限流电阻:由于低速比较器的门限电压设置为 50mV,选择限流电阻时应保证当负载电流
超出正常工作的最大值时,在限流电阻上产生 50mV 以上的电压,过载电流一般设置为正
常工作时负载电流的 -