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静电斥力rf mems开关的设计与优化.docx

上传人:wz_198613 2018/6/25 文件大小:18.95 MB

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文档介绍

文档介绍:声 明
本人郑重声明:所呈交的学位论文,是本人在指导教师的指导下, 独立进行研究所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外,本论文不包含其他个人或集体已经发表或撰写过的研究成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本声明的法律责任由本人承担。
论文作者签名:塑噬暨 日期: 鲨!三!j!,
关于学位论文使用权的说明
本人完全了解太原理工大学有关保管、使用学位论文的规定,其中包括:①学校有权保管、并向有关部门送交学位论文的原件与复印件;②学校可以采用影印、缩印或其它复制手段复制并保存学位论文;
③学校可允许学位论文被查阅或借阅;④学校可以学术交流为目的, 复制赠送和交换学位论文;⑤学校可以公布学位论文的全部或部分内容(保密学位论文在解密后遵守此规定)。
签 名:叠墨翌 日期: 俩^少
导师签名: 日期:丛!』!鱼篁
万方数据
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太原理工大学硕士研究生学位论文 Y2798595
静电斥力I江MEMS开关的设计与优化
摘要
射频微机电(RF删s)开关以其体积小、重量轻、响应速度快、易与IC电路集成等优点,成为RF删S领域中被广泛研究的一类器件。RF
ⅧMS开关广泛应用在卫星通讯、雷达、汽车电子等领域。在RF MF,MS 开关中,研究最多的是静电驱动电容式RF MF_。MS开关。但其商业化一直没有实现,其中一个主要的原因就是由于RF MEMS开关中电荷积累(即
介质充电)问题导致开关出现可靠性问题。针对如何解决电荷积累问题, 国内外研究专家也提出了很多解决方法,但只是在一定程度上降低了电荷积累的速度,而且这些方法在降低电荷积累速度的同时,带来了其它的一
些问题,例如开关时间增长、体积偏大、加工工艺复杂等。
在静电驱动电容式RF删S开关中,由于在施加驱动电压后,互相
接触的两极板之间有强电场的存在,导致漏电流中的电荷被介质层中陷阱俘获并积累。因此,介质层中强电场是引起电荷积累的主要因素。针对如
何消除RFⅧMs开关介质层中的强电场,本文提出了利用静电斥力原理
驱动RF MEMS开关,消除介质层中的强电场,减少电荷积累。具体完成了以下几方面的研究工作:
(1)从静电引力驱动电容式RF I\vmMS开关失效机理入手,分析其失效原因;对比总结已有的各种解决方法的优缺点;简要说明了IⅫMEMS 开关的国内外研究现状。
万方数据
太原理工大学硕士研究生学位论文
(2)提出利用静电斥力原理进行驱动的想法,讲解了静电斥力原理的基本概念及其工作原理;分析了静电斥力的可靠性问题;简单介绍了有限 SOL Multiphysics相关知识,并通过仿真验证了此驱动结构的可行性。
(3)将驱动结构参数分为固定极板、可动极板和其他参数三类,并利用仿真软件逐一分析了这些参数与驱动结构最大形变量之间的关系。结果表明:驱动结构最大形变量与可动极板长度和垂直间距呈线性关系,与可动极板宽度和厚度成指数下降关系;最值得一提的是,当水平间距为3肛m 时,可动极板的形变量达到最大值。此外,固定极板宽度和厚度对最大形变量的影响不是很大。
(4)从改变驱动结构弹性系数、斥力驱动单元数目及固定极板数目三方面入手,设计了不同的驱动结构;研究了不同的驱动结构对最大形变量的影响关系;设计了本文的静电斥力RF MEMS开关的加工工艺流程及相应的加工图。
关键词:电容式RF MEMS开关,静电驱动,SOL Multiphysics
万方数据
太原理工大学硕士研寇生学位论文
DESIGN AND oPTIMIZATIoN oF THE ELECTRoSTAl’IC
BASED RF MEMS SWITCHES
ABSTRACT
RF MEMS switch has been widely used in the RF MEMS field due to its advantages,such as little size,low power consumption,fast response time and easily integrated with the IC MEMS switch has a big application field including munications,radar systems and electrostatic capacitive RF MEMS switch is widely studied in these years.
However,the industrialization is not rea