文档介绍：第 5 章
存储器系统
第5章存储器系统
教学重点
芯片SRAM 2114和DRAM 4116
芯片EPROM 2764和EEPROM 2817A
SRAM、EPROM与CPU的连接
存储器概述
除采用磁、光原理的辅存外,其它存储器主要都是采用半导体存储器
本章介绍采用半导体存储器及其组成主存的方法
CPU
CACHE
主存(内存)
辅存(外存)
半导体存储器的分类
按制造工艺
双极型:速度快、集成度低、功耗大
MOS型:速度慢、集成度高、功耗低
按使用属性
随机存取存储器RAM:可读可写、断电丢失
只读存储器ROM:正常只读、断电不丢失
详细分类,请看图示
半导体存储器的分类
半导体
存储器
只读存储器
(ROM)
随机存取存储器
(RAM)
静态RAM(SRAM)
动态RAM(DRAM)
非易失RAM(NVRAM)
掩膜式ROM
一次性可编程ROM(PROM)
紫外线擦除可编程ROM(EPROM)
电擦除可编程ROM(EEPROM)
闪速存储器(Flash Memory)
详细展开,注意对比
读写存储器RAM
组成单元
速度
集成度
应用
SRAM
触发器
快
低
小容量系统
DRAM
极间电容
慢
高
大容量系统
NVRAM
带微型电池
慢
低
小容量非易失
只读存储器ROM
掩膜ROM:信息制作在芯片中,不可更改
PROM:允许一次编程,此后不可更改
EPROM:用紫外光擦除,擦除后可编程;并允许用户多次擦除和编程
EEPROM(E2PROM):采用加电方法在线进行擦除和编程,也可多次擦写
Flash Memory(闪存):能够快速擦写的EEPROM,但只能按块(Block)擦除
半导体存储器芯片的结构
地
址
寄
存
地
址
译
码
存储体
控制电路
AB
数
据
寄
存
读
写
电
路
DB
OE
WE
CS
①存储体
存储器芯片的主要部分,用来存储信息
②地址译码电路
根据输入的地址编码来选中芯片内某个特定的存储单元
③片选和读写控制逻辑
选中存储芯片,控制读写操作
①存储体
每个存储单元具有一个唯一的地址,可存储1位(位片结构)或多位(字片结构)二进制数据
存储容量与地址、数据线个数有关:
芯片的存储容量=2M×N
=存储单元数×存储单元的位数
M:芯片的地址线根数
N:芯片的数据线根数
示例
②地址译码电路
译码器
A5
A4
A3
A2
A1
A0
63
0
1
存储单元
64个单元
行译码
A2
A1
A0
7
1
0
列译码
A3A4A5
0
1
7
64个单元
单译码
双译码
单译码结构
双译码结构
双译码可简化芯片设计
主要采用的译码结构