文档介绍：华南理工大学
硕士学位论文
基于BSIM4模型的亚微米MOSFET器件直流参数提取与验证研究
姓名:陈志坚
申请学位级别:硕士
专业:微电子学与固体电子学
指导教师:郑学仁
20040213
要摘随着集成电路技术的不断发展和越来越广泛的应用,在系统级芯片虑其高性能、低功耗、高可靠性和低成本的要求。人们对砑小>返腗钠骷P是实现杓坪虸饭δ苡胄阅芰O灯鹄吹幕『凸丶Υ本论文课题的主要研究内容就是在深入掌握器件建模方法与软件与美国惠普公司器件P椭绷鞑问崛〖胺抡嬗胙橹そ醒芯坑胩教帧W詈舐畚通过具体实验,对一组采用ひ铡⒄ぱ趸愫穸任、不同沟道宽长比的骷辛瞬馐院虰系列模型直流参数的提取,并且把提取得到的模型参数输入新的P椭校⒗么四型,用电路模拟仿真工具对模拟,数字电路进行模拟与仿真,得工艺库的仿真结果进行对比,证明提取的参数与模型能够精确的模拟和仿真器件的各种直流物理特性。并对模型参数提取方法和策略进行了优化与探讨。整个论文课题的完成就是一个理论联系实际的过程,是一个在最新实施到P筒问奶崛」讨小T谡飧龉讨校髡呔源统的器件模型参数提取流程进行适当的修改与完善,得到了一套合理有效的器件模型参数提取的过程与方法,并且通过这种方法成功的实现了对器件进行参数提取,用详实的数据和结果既证实了器件模型参数提取数提取方法:的有效性和实用性。<傻路的规模和结构的复杂度不断增加的背景下,集成电路设计时就必须考砑统计容差。分析、优化设计、成品率、成本分析及可靠性预测的功能和精度要求也越来越高。而在模型原理幕≈希妹拦鶦思略镜腂半导体参数测试仪,对亚微米到了很好的仿真结果。#徊问崛。篠关键词:摘要用。—
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作者签名:俅岔日期:硝年弓月砝日剔谧钰却乓亨矢緇『年岁肌作者签名:像岛·缸日期:≯∥年弓月砝日学位论文版权使用授权书华南理工大学学位论文原创性声明本人郑重声明:所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所取得的研究成果。除了文中特别加以标注引用的内容外,本论文全意识到本声明的法律后果由本人承担。本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定,全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。本学位论文属于密后适用本授权书。不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写的成果作品。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本人完同意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版,允许论文被查阅和借阅。本人授权华南理工大学可以将本学位论文的保密口不保密朐谝陨舷嘤Ψ娇蚰诖颉啊獭
第一章绪论器件建模的意义金属趸镆话氲继宄⌒в骞苁羌傻缏返幕组成单元。利用际踔圃斐蠊婺<傻缏芬殉晌0氲继骞ひ抵械主导技术诠サ氖嗄曛校琈集成电路的集成度以惊人的速度增长,这主要体现在骞艿某叽缭嚼丛叫∫约肮ひ占际醯闹鸩教岣摺集成电路已经大批量生产,在制造集成电路之前,如果没有能够氯吩测电路特性的模拟工具帮助,设计如此复杂的芯片几乎是不可能的。作为电路设计和分析的模拟器,它的可信度取决于其中器件模型的氯沸裕由于器件尺寸越来越小,器件模型越来越复杂,如何能够得到既简洁又能精确描述器件特性的模型就成了电路模拟中一个重要的问题。随着集成电路技术的发展和越来越广泛的应用,设计时就必须考虑的高可靠性、高性能、低成本的要求,人们对差分析、优化设计、成品率、成本分析及可靠性预测的功能和精度要求器件模型是联系设计和生产的纽带产品功能与性能联系起来的关键纽带,它们之间的关系见图0樗目前,有效沟道长度小于⒚住⒓啥却锷弦诟鼍骞艿某蠊婺砑臣迫也越来越高。而在砑校琈钠骷P褪墙獻杓坪图第一章绪论ぃ簂.
课题来源与背景杓普呤滓=饩龅奈侍猓恢币彩枪噬涎芯康闹氐和热点。在向纳米芯片技术转变时期,对它的研究就有了更重要的现实如表荆煌挠没Ф云骷P偷牟煌G螅蚨阅P偷钠价有着不同的评价标准。为了减少器件在不同建模过程中给用户带来的拦缱庸ひ敌⌒湍P臀被公布了~套电路仿真的标准模型。开发组开发的是ú嫉牡谝桓霰曜寄P汀器件建模标准化为模型开发者建立器件模型指明了方向。在这之后,工艺模型的建立得到了迅速发展,出现了许多高质景的建模方法无疑对设计、仿真是十分重要的。不同的用户需要不同的器件模型基本类型¨基本类型要求精确的物理模型高计算效率,拟合的耪度和比较简单的模型拟合的精度和统计模型的能力年初,本专