文档介绍：*,掺入杂质可改变电导率/热敏效应/光电效应硅、***化镓和磷化铟是最基本的三种半导体材料分类材料电导率导体铝、金、钨、铜等>105S·cm-1半导体硅、锗、***化镓、磷化铟等10-9~10-2S·cm-1绝缘体SiO2、SiON、Si3N4等10-22~10-14S·cm-1*(Si)基于硅的多种工艺技术:双极型晶体管(BJT)结型场效应管(J-FET)P型、N型MOS场效应管(PMOS/NMOS)CMOS双极CMOS(BiCMOS)价格低廉、取材广泛,占领了90%的IC市场。****化镓(GaAs)能工作在超高速超高频载流子迁移率更高,近乎半绝缘的电阻率GaAs的优点fT可达150GHz可制作发光器件工作在更高的温度更好的抗辐射性能GaAsIC的三种有源器件:MESFET,HEMT和HBT* 磷化铟(InP)能工作在超高速超高频三种有源器件:MESFET、HEMT和HBT广泛应用于光纤通信系统中覆盖了玻璃光纤的最小色散(m)和最小衰减(m)的两个窗口*SiO2SiONSi3N4SiOF功能包括:充当离子注入及热扩散的掩膜器件表面的钝化层电隔离*:*IC制造用金属材料铝,铬,钛,钼,***,钨等纯金属和合金对Si及绝缘材料有良好的附着力可塑性好容易制造高导电率易与外部连线相连。纯金属薄层用于制作与工作区的连线,器件间的互联线,栅及电容、电感、传输线的电极等。*铝(Al)在Si基VLSI技术中,Al几乎可满足金属连接的所有要求,被广泛用于制作欧姆接触及导线。随着器件尺寸的日益减小,金属化区域的宽度也越来越小,故连线电阻越来越高,其RC常数是限制电路速度的重要因素。要减小连线电阻,采用低电阻率的金属或合金是一个值得优先考虑的方法。*铝合金在纯金属不能满足一些重要的电学参数、达不到可靠度的情况下,IC金属化工艺中采用合金。硅铝、铝铜、铝硅铜等合金已用于减小峰值、增大电子迁移率、增强扩散屏蔽,改进附着特性等。或用于形成特定的肖特基势垒。例如,在Al中多加1%的Si即可使Al导线上的缺陷减至最少,而在Al中加入少量Cu,则可使电子迁移率提高101000倍;通过金属之间或与Si的互相掺杂可以增强热稳定性。*