文档介绍：全球领先的光伏一体化产品制造商和服务商
浙江晶科能源有限公司
电池制造二部
PSG培训资料
丑涛涛
2010-11-22
晶科能源有限公司
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目录
一、PSG单多晶硅片表面化学腐蚀处理
二、5S及工艺卫生、安全
三、交接班内容
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目的
,指导操作员的操作方法,操作步骤及操作注意事项。
:SiO2 + 6HF = H2SiF6 + 2H2
3. ,导致电流的降低和功率的衰减
,会导致少子寿命的降低,进而降低了Voc和Isc。
原理
利用HNO3和HF的混合液体对硅片表面进行腐蚀,去除边缘的N型硅,使得硅片的上下表面相互绝缘。
范围
本指导书适用于硅片湿法刻蚀工序。
职责
。
,工艺人员及时提供帮助。
一、PSG单、多晶硅片表面化学腐蚀处理
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什么是PSG
意为含有P、P2O5的二氧化硅。由于在扩散过程中干氧的通入,在硅片表面形成一层二氧化硅,在高温下POCl3与O2形成的P2O5后,部分P原子进入Si取代部分晶格上的Si原子形成n行层,部分则留在了SiO2中形成PSG。
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PSG制绒流程
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作用内容:
一、操作前准备:
、鞋、帽,戴好口罩、手套(如图1)。
:手套、四探针测试仪、酒精、下料盒、碎片盒、电子称。
:。
、压缩空气是否正常,各工艺参数是否是工艺所要求的参数。
c. 检查外围冷却水温不能高于18度,进出水压差不少于3KG。
。
。
,水刀、风刀是否正常。
手套
酒精
下料盒
碎片盒
电子称
四探针测试仪
图1
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操作的工作流程
一、,返回主页面,(如图2)
图2
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然后点击”手动停止”然后”YES”(如图3)。
图3
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。点击自动启动按钮,开始投入生产。
3. 待生产结束后,进入主页面,点击相应的槽体,单击废液排放,然后点击启动(如图4)注意:3号槽和7号槽的浸泡去不会自动结束,需要在槽体排放结束后手动结束浸泡区排放。
图4
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,点击进入相应槽位,然后点击清洗。然后将停止点
击启动。用水枪彻底冲洗槽体10分钟,使槽体彻底清洗干净。
,废液已经排放干净。然后点击相应槽位(如图5)
检查配液参数,在确定配槽参数无误后,点击配槽,等待下班来交接班。
图5
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