文档介绍：带双倍SPI和四倍SPI接口的
8M-bit,16M-bit和32M-bit的
串行Flash存储器
目录
1. 一般说明 5
2. 特点 5
3. 引脚排列SOIC 208-mil 6
4. 引脚排列WSON 6×5-mm 6
5. 引脚描述SOIC208-mil和WSON 6×5-mm 6
6. 引脚排列 SOIC 300-mil 7
7. 引脚描述 SOIC 300-mil 7
. 封装类型 8
. 片选端(/CS) 8
. 串行数据输入、输出和IOs(DI、DO和IO0、IO1、IO2、IO3) 8
. 写保护(/WP) 8
. 保持端(/HOLD) 8
. 串行时钟(CLK) 8
8. 结构框图 8
9. 功能描述 9
. SPI总线操作 9
标准SPI操作指南 9
双倍SPI操作指南 10
四倍SPI操作指南 10
保持端功能 10
. 写保护 10
写保护特点 10
10. 控制和状态寄存器 10
. 状态寄存器 10
忙信号 10
写使能(WEL) 10
块保护位(BP2、BP1和BP0) 10
顶部/底部保护(TB) 10
扇区/块保护(SEC) 10
状态寄存器保护(SRP1、SPR0) 10
四倍使能(QE) 10
状态寄存器保护 10
. 操作指南 10
制造商和芯片标识 10
指令表1 10
指令表2 12
允许写入(06h) 12
禁止写入(04h) 12
读状态寄存器1(05h)和状态寄存器2(35h)、 12
写状态寄存器(01h) 12
读数据(03h) 12
快速读数据(0Bh) 12
双倍快速读输出(3Bh) 12
四倍快速读数据(6Bh) 12
双倍快速读I/O(BBh) 12
四倍快速读I/O(EBh) 12
页编程(02h) 12
四倍输入页编程(32h) 12
扇区擦除(20h) 12
32KB块擦除(52h) 12
64KB块擦除(D8H) 12
全片擦除(C7h/60h) 12
暂停擦除(75h) 12
恢复擦除(7Ah) 12
低功耗(B9h) 12
高性能模式(A3h) 12
解除低功耗或者高性能模式/芯片ID(ABh) 12
读取制造商/芯片ID(90h) 12
读取唯一ID(1) 12
JEDEC ID(9Fh) 12
状态位复位(FFh或者FFFFh) 12
11. 电气特性(初步的)(4) 12
. 最大绝对值范围(1) 12
. 工作范围 13
. 耐久度和数据保留 13
. 禁止写临界值 13
. DC电气特性 13
. AC测量环境 13
. AC电气特性 13
. 串行输出时序 13
. 输入时序 13
. 保持时序 13
12. 封装说明 13
13. 命名规则 13
. 有效的产品编号和顶面标记 13
14. 修订历史 13
一般说明
W25Q80(8M-bit),W25Q16(16M-bit)和W25Q32(32M-bit)是为系统提供一个最小的空间、引脚和功耗的存储器解决方案的串行Flash存储器。25Q系列比普通的串行Flash存储器更灵活,性能更优越。基于双倍/四倍的SPI,它们能够可以立即完成提供数据给RAM,包括存储声音、文本和数据。,正常工作时电流小于5mA,掉电时低于1uA。所有芯片提供标准的封装。
W25Q80/16/32由每页256字节,总共4,096/8,192/16,384页组成。每页的256字节用一次页编程指令即可完成。每次擦除16页(扇区)、128页(32KB块)、256页(64KB块)和全片擦除。W25Q80/16/32有各自的256/512/1024个可擦除扇区和16/32/64个可擦