文档介绍：5 场效应晶体管及其放大电路
晶体管的主要特点
1. 电流控制型器件。
2. 输入电流大,输入电阻小。
3. 两种极型的载流子都参与导电,又称为双极型晶体管,简称BJT(Bipolar Junction Transistor)。
概述
场效应管,简称FET(Field Effect Transistor )。
(a) 输入电阻高,可达107 ~1015W。
(b) 起导电作用的是多数(一种)载流子,又称为单极
型晶体管。
(c) 体积小、重量轻、耗电省、寿命长。
(d) 噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强和制造工艺
简单。
(e) 在大规模集成电路制造中得到了广泛的应用。
场效应管的主要特点
1. 结型场效应管,简称JFET (Junction Field Effect Transistor)。
场效应管按结构可分为
场效应管的类型
2. 绝缘栅型场效应管,简称IGFET (Isolated Gate Field Effect Transistor)。
结型场效应管
结型场效应管的结构和类型
s
g
d
P+
N
P+
SiO2
保护层
N沟道JFET结构示意图
N
P+
P+
形成SiO2保护层
以N型半导体作衬底
上下各引出一个电极
左右各引出一个电极
两边个引出一个电极
两边个引出一个电极
两边扩散两个高浓度的P型区
漏极d(drain)
源极s(source)
栅极g(gate)
N
P+
P+
N型导电沟道
符号
称为N沟道JFET
符号
P沟道JFET结构示意图
P
N+
N+
P型导电沟道
s
g
d
N沟道结型场效应管
P沟道结型场效应管
结型场效应管分
结型场效应管的工作原理
电路图
G
D
S
=0时,uGS对沟道的控制作用
=0时
N
P+
P+
N型导电沟道
s
d
=0
沟道无变化
g
(off)<uGS<0
N
P+
P+
N型导电沟道
s
d
=0
P+
–
+
(a) PN结加宽
(b) PN结主要向N区扩展
(c) 导电沟道变窄
(d) 导电沟道电阻增大
g