文档介绍：第第77章章 MCSMCS--5151存储器与并行接口存储器与并行接口
芯片的扩展芯片的扩展
随机读写存储器随机读写存储器RAMRAM的扩展的扩展
只读存储器只读存储器ROMROM的扩展的扩展
地址译码的方法地址译码的方法
并行接口芯片并行接口芯片81558155
单片机最小系统
使单片机能运行的最少器件构成的系统。
无ROM芯片:8031 必须扩展ROM,复位、晶振电路
有ROM芯片:89c51等,不必扩展ROM,只要有复位、晶振电路
8031 27128
5V 74LS373
RST D0-D7
200
- 8D 8Q A0-A7
1K
ALE G
CE
EA OE
- A8-A13
XTAL2
30P
12MHz PSEN
30P OE
XTAL1
扩展使用的三总线
地址总线:P0-低8位
P2-高8位
数据总线:P0
控制总线:RD、WR、 ALE、 PSEN
( 读、写、地址锁存允许、外程序存储器读选通)
随机读写存储器随机读写存储器RAMRAM的扩展的扩展
RAM
数据存储器一般采用RAM芯片,这种存储器在电源关
断后,存储的数据将全部丢失。
RAM的类型很多,本课程只讲SRAM器件(其它请自
学):
动态RAM(DRAM),一般容量较大,易受干扰,要
定时刷新,使用略复杂。
静态RAM(SRAM),不需刷新,在工业现场常使用
SRAM.
SRAM的引脚
型号:6264 前两位数62, 表示SRAM 后两位64÷8=8k 字节容量
62128 有128÷8=16k 字节容量 62256 有256÷8=32k 字节容量
62256
10 11
A0 D0
9 12
A1 D1
8 13 Vpp Vcc Vpp Vcc Vpp Vcc
A2 D2 数
7 据
A3 D3 15 A12 WE A12 WE A12 A14
6 16 总
A4 D4 A7 CE2 A7 A13 A7 A13
地 5 17 线 62128
A5 D5 6264 A6 A8 62256
址 A6 A8 A6 A8
4 A6 D6 18
总 A5 A9 A5 A9 A5 A9
3 A7 D7 19
线
25 A4 A11 A4 A11
A8 A4 A11
24
A9 A3 OE A3 OE A3 OE
21
A10 A2 A10 A2 A10 A2 A10
23 A11
2 A1 CE1 A1 CE A1 CE
A12
26
A13 A0 D7 A0 D7 A0 D7
27
A14 D0 D6 D0 D6 D0 D6
1
A15 D1 D5 D1 D5 D1 D5
27 D2 D4 D2 D4 D2 D4
控 WE
22
制 OE (VPP) GND D3 GND D3 GND D3
总 20
CE
线
RAMRAM存储器的连接存储器的连接
存储器与单片机三总线的连接:
1)数据线 D DB
0~n 0~n D0~n
连接数据总线 DB0~n
AB0~N
2)地址线 A0~N A0~N
连接地址总线低位AB 。 AB
0~N N+x CS
3)片选线 CS
R/ W R/ W
连接地址总线高位ABN+x。
4) 读写线OE、WE(R/W)
单片机存储器
连接读写控制线RD、WR。
出现的问题:
51单片机地址总线为P0、P2共16根,但P0也是数据总线。
似乎地址总线与数据总线发生冲突。
解决方法:
采用地址锁存器,分时共用高8位,将地址与数据隔离开。
地址锁存器的原理
8D锁存器
D0 Q0 三态门
D1 Q1
D2
IN Q2 OUT
D3 Q3
D4 Q4
D5 Q5
D6 Q6
D7 Q7
Q=D
G OE
三态:
D锁存Q中高电平:“1”
D变化时Q不随之变化低电平:“0”
(Q?=D) 高阻
地址锁存器芯片
74LS373 74LS573 74LS273
3 2 2 19 3 2
D0 Q0 D0 Q0 D0 Q0
4 5 3 18 4 5
D1 Q1 D1 Q1 D1 Q1
7