文档介绍：半导体器件工艺学
电子工程系
课程安排
半导体芯片制造概述
半导体材料
氧化
淀积
光刻
刻蚀
掺杂
硅平面工艺
装配与封装
第一章半导体芯片制造概述
§1-1简介与发展
§1-2集成电路的分类
§1-3集成电路工艺基础
§1-4微芯片的制造环境
§1-1简介与发展
一、几个重要发明
第一个晶体管 1947年 Bell Labs
第一个商用平面晶体管 1957年 Fairchild
第一个IC 1958年 TI
第一个硅IC 1961年 Fairchild
硅片(衬底,晶圆):
制造电子器件的基本半导体材料
是单晶,圆形,薄片
半导体器件制作在接近硅片表面几μm处
淀积介质层和导电材料隔离或连接器件
多层布线结构
制作两到三个月,完成450道或更多的工艺步骤
二、现代的IC制造
加工前的硅片
加工后的硅片
硅芯片的器件和层
多层布线结构
多层布线