cmos ic工艺集成.ppt

文档介绍：§**SchematicDiagramTopviewofTransistorCross-sectionofTransistorVDDVSSVoutVinsdsdggVDDVSSVoutVinggsdsdn-channeltransistorp-channeltransistorp-welln+p+n+p+n-substratesourcedrainsourcedrainfieldoxidegateoxidemetalpolysilicongatecontact工艺流程从定义有源区开始,晶体管就在这些区域中形成。有源区**阱区离子注入;定义有源区刻蚀及在绝缘沟槽中填充氧化物;淀积及形成多晶硅层图形;源区和漏区及衬底接触的离子注入;形成接触和通孔窗口淀积及形成金属层图形;*****掩膜一:N阱光刻*用来规定N阱的形状、大小及位置N-wellN-wellN-N+N+P+P+N+P+P-I-SiWellWellN+-Sin阱的形成形成n阱有5个主要步骤:1)外延生长2)初始氧化生长3)第一层掩膜4)n井注入(高能)5)退火***具体步骤:外延层的保护层―免受沾污;注入时的保护层―阻止注入对硅片的过度损伤;屏蔽层―有助于控制注入深度;:高温(1000)湿法氧化;大约150A;:轻的p型(硼)掺杂;晶向<100>;Epi-Si衬底SiO2初始氧化层的主要作用:*掩膜1―N阱的光刻过程*:涂胶掩膜对准曝光光源显影*这一步骤主要是将特定的掩膜图形即阱的区域刻印在硅片上,在光刻区完成。N阱的掩膜版决定硅片的哪些区域将进行注入以得到N阱,从而可在阱上制作PMOS管。涂胶显影刻蚀去胶N阱注入(高能):PN阱主要步骤在进入离子注入区之前进行检测:刻印图形的线宽;Mask#2blocksaimplanttoformthewellsforthePMOSdevices.******@300KeV.*硼掺杂(离子注入)P+去除氧化膜N-:刻蚀(等离子体刻蚀)去胶氧化硅