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基站天线设计-H缝隙耦合馈电双极化微带天线.ppt

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基站天线设计-H缝隙耦合馈电双极化微带天线.ppt

上传人:qujim2013 2013/6/12 文件大小:0 KB

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基站天线设计-H缝隙耦合馈电双极化微带天线.ppt

文档介绍

文档介绍:*
工作频率:2500~2690MHz
水平、垂直端口驻波比≤
水平垂直端口隔离度≥28dB
水平方向3dB波瓣宽度:65°±5°
交叉极化比≥18dB
阵元高度尽可能小
H缝隙耦合馈电双极化微带天线
天线指标
*
天线结构
俯视图
侧视图
水平端口H_port
垂直端口V_port
天线尺寸52mm*52mm*18mm
*
V_port驻波比
由图可知,在要求的工作频带内,V_port端口驻波比性能较好。
*
H_port驻波比
由图可知,在要求的工作频带内,H_port端口驻波比性能较好。
由图可知,在要求的工作频带内,H_port端口驻波比性能较好。
*
端口隔离度
从图中可以看出,在工作频带内,1端口(V_port)和2端口(H_port)隔离度> 41dB,符合设计指标。
*
方向图
1端口(V_Port)馈电
由2D方向图可知,水平方向3dB波瓣宽度为66 °,满足设计指标。
3D方向图
2D方向图
*
方向图
2端口(H_Port)馈电
由2D方向图可知,水平方向3dB波瓣宽度为66°,满足设计指标。
3D方向图
2D方向图
*
交叉极化比
垂直端口(V_port)
由图可以看出,在轴线方向,E面和H面交叉极化比> 28dB,符合设计指标。
E面
H面
*
交叉极化比
水平端口(H_port)
由图可以看出,在轴线方向,E面和H面交叉极化比> 28dB,符合设计指标。
E面
H面
*
部分参数扫描
VSWR1随h1变化曲线
由图可以看出,随着h1(h1为地板到第一层介质板的高度)增加,谐振频率向高频偏移,在11mm左右驻波比曲线较为平坦。

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