文档介绍：万方数据
狥��退火对硼掺杂微晶硅薄膜性能的影响。果���跋�,李新利��吆2�,焦岳超���瑞��王言验�峁�胩致��.郑州大学物理工程学院材料物理教育部霞点实验室,河南郑州���;��幽瞎ひ荡笱В�幽现V����采用射频等离子体增强化学气相沉积������法制备了不同硼烷掺杂比例的微晶硅薄膜。硅薄膜进行了退火处理。研究发现,对初始晶化率较高的薄膜,退火后其晶化率发生下降;初始晶化率较低的薄膜,退火后其晶化率则有所提高;并且,在高真空中退火更有利于薄膜的晶化。退火后,薄膜表面粗糙度的变化情况受其初始晶化率的影响;薄膜的暗电导率有欠幅度的增加。其中,掺杂浓度较高的薄膜,在真空退火后其晶化率、表面粗糙度和电导都有显著的提糙度文献标识码:�引相比�颓饣�蔷Ч���猄�篐�琍型氢化微晶硅��隿—�:�因具有较高的掺杂效率、较高的电导率和较低的光吸收等特点,近些年来被广泛应用于硅基薄膜太阳电池的窗口层及叠层电池的隧道结接触层��。�阕魑L�舻绯氐拇翱诓悖�粼硬悖�约氨�征层的籽晶层,其质量的好坏对整个电池性能有非常人们大都通过改变沉积参数来控制微晶硅薄膜质量的好坏。实际上,对沉积得到的薄膜进行后处理也是提高薄膜质量的一种重要手段。由于氢能钝化薄膜中的缺陷态,我们就采用了氢气氛退火,同时类比做了对非晶硅的固相晶化,大家已经研究得比较成熟,认为在��嫦鹿滔嗑Щ�Ч�虾肹�。由于微晶硅薄膜电池的制备是一个连续的过程,�臀⒕Ч璞∧ぴ�真正用于制备电池时不能从腔室中取出,所以我们就在薄膜沉积完成后,直接在线对其进行了退火处理,退火温度选择在��嬉韵隆�实采用射频等离子体增强化学气相沉积�����法,以�合∈��サ墓柰椋琀�∈�.�サ�硼烷和高纯�旱幕旌掀�逦7从ζ�矗�诓AС牡�上制备了一系列�蚿���篐薄膜。在保持其它参数条件不变的情况下,仅改变掺杂气体比����。/���制备了�檠�罚�直鹞Q�稟����%���稡�一��%���稢��%�I淦倒�率为��,气体总流量为���痬�,沉积温度和沉积压强分别是��婧��.��Q�分票竿瓿珊螅���植煌�奶跫�陆�辛送嘶穑�嘶鹛�件见表�F渲校�婵胀嘶鹗保�婵斩染�3衷����以上;在氢气中退火时,压强均保持在����,流量为���痬�;退火时间均为���。硅薄膜的晶化率采用�������偷腞��光谱仪测试。氦氖激光器的波长为������す獾�功率为��,根据高斯拟合得到薄膜的晶化率。为了得到样品的表面粗糙度,我们采用美国�瓵.������旧��腣��屯制ü馄滓抢吹玫酵衷财��光谱。测量时入射角固定为�。,光谱波段选择为��~���,步长为���2饬康玫奖∧さ牟问�酆�△,采用����砑�允�萁�蟹治龃�怼1∧�暗电导率由������型高阻仪测量得到。��退火对硼掺杂微晶硅薄膜晶化率的影响图�茄�稟,�珻退火前的拉曼谱。薄膜结晶度的计算是通过对���馄捉�腥�甯咚鼓夂系�到的。拟合的方法是把���追纸獬�个峰:����附近一个代表非晶相;����附近一个代表晶相;������之间一个中间峰。薄膜的晶化率王果等:退火对硼掺杂微晶硅薄膜性能的影响摘要:随后在不同温度、不同气氛下,对沉积得到的�臀⒕�高。关键词:�臀⒕Ч瑁煌嘶穑籔��;晶化率;表面粗中图分类号:��:���文章编号:��—������一��—��重要的影响。