文档介绍：芯片设计策略
长期可靠性的问题,比如电子迁移(EM)失效机制,历来属于晶圆厂的处理范畴。但随着纳米设计中可靠性实现的愈加困难,对设计人员而言,不能再把问题扔给制造甩手不管了。设计领域也必须做出努力以获得更具有鲁棒性的版图。
电流密度过高导致金属原子逐渐置换,这时就会产生电子迁移问题。当很长时间内在同一个方向有过多电流流过时,在互连线上会开始形成空洞(Void,原子耗尽时出现)和小丘(hillock,原子积聚时产生)。足够多的原子被置换后,会产生断路或短路。当小丘触及邻近的互连线时,短路出现,从而引起芯片失效。
减少电子迁移的方法之一是提取互连的寄生阻抗,并把它输入到一个仿真工具中,计算流经每根金属线的电流。利用互连每一部分的宽度信息,就有可能计算电流密度并由低到高进行分类。然后生成一个彩色图覆盖在版图上,由此标注出电流密度最高的各个区域。
首先处理电流密度最高的区域,可以加宽互连金属线,增加通孔,降低电流密度。
一旦对版图做了修改,设计人员可以再进行一次寄生阻抗提取,重新仿真结果。通过这种方法,应该可以看到造成电子迁移的电流密度有所下降。
应该:
,确认存在EM问题的金属线。在最终版图上执行寄生阻抗提取,再把寄生阻抗值,以及该部分的宽度和位置等信息输入到一个仿真工具中。仿真生成一个电流密度图,覆盖在最初的版图上。
,考虑到金属宽度的变化。许多晶圆厂都提供寄生阻抗提取时的这种变化的建模机制。
。金属厚度的变化会引起寄生阻抗值的变化,故必须考虑在内。
,计算整个芯片版图的电流密度。对每一层,确定电流密度阈值,以便获得对应用产品来说可接受的平均失效时间。
。
(VIA doubling)以减少寄生阻抗,从而减小电流密度。
、仿真和可视化,以观察版图修正是否已降低了最严重区域的电流密度。如果版图修正已把电流密度降至一个可接受的程度,设计就算完成了。
图1:加宽金属线和增加过孔以降低电流密度。
不应该: