文档介绍：�万方数据
掺杂对�����热电。陛能和自旋关联的影响许高杰��钛抢�,����,段雷�一,李志祥��唬�跚�,李勇��唬�奁�引言2����3��������������co������������������������������������F��0'l��������������C0124��C0349��Bi2sr2c02q利用固相反应法制各了�����坏贺��躼≤稀有金属材料与工程摘要:采用固相合成法制备出系列�掺杂的�����样品,并对样品进行��治觯�缱杪��、热电势㈣和这可能与�粼咏档土丝昭ㄔ亓髯优ǘ扔泄亍��粼优ǘ嚷��样品获得最大的功率因子���妇���’�.顺�自从在具有层状结构的�.基金属氧化物Nac0204(co��124)��������������������������(s)以来,�过渡金属氧化物就作为新的一族有较大潜在应用前景的热电材料吸引着研究人员的注意。其它�.基层状结构的化合物陆续被发现,如����ca3c0409(co-349)P��1��Bi2sr2c020y(Bc��222)��o~��1��������������������������Ry0{iFunahashi��������首先报道了在�.基氧化物单晶材料中获得热电优值z71=3����������������������������������������c00����������������������������������������������M(Bc��222)����������������������Bi2sr2cu06������层状组成,其很高的室温热电势被认为与体系的强电子自旋关联相关,澄清改变其自旋强关联状态究竟对热电性能影响关系,将有利于研究人员探索具有更高热电性能的材料。本实验通过在��层中引进�元��������co��o��������������������������������热电性能的变化。���盗醒�贰S酶叽慷鹊腂��,���珻��和Fe203����������������������������������������������℃在空气中预烧�h����������������������������������������������2������������������片,并于����℃在空气中烧结�h������������中随炉冷却。样品的相组成是用����—�痬�.�蛒光衍射分析。电阻率采用标准网引线法测量,热电势采用静态法用��煞�聿饬浚�缱铀炒殴舱裨������.��—��型顺磁共振仪测量,辅以频率计数器和质子核磁共振磁强计记录有关参数。�庋苌浞治霰砻鳎��藌�.�样品食有少许������������������������������������1������Fe掺杂样品的电阻率随温度的变化关系。电阻率测量结果显示所有样品在低温下都呈半导体导电行为,在室温附近,低掺杂样品的电阻率几乎不随温度变化而改变,这里可能是金属和半导体��转变温区,与我们早期的研究结果是一致的,即�����及其低掺杂样品在室温以上�呶虑�呈现金属导电行为,电阻率随温度的升高快速增大‘”】。在低温区�椅乱韵��掺杂导致电阻率逐渐增大,一方面是因为�”取代低的掺杂引起杂质中心对载流子的散射增加。除此以0574�