文档介绍：集成电路工艺之光刻
光刻
1、基本描述和过程
2、光刻胶
3、光刻机
4、光刻工艺
5、新技术简介
光刻基本介绍
在硅片表面匀胶,然后将掩模版上的图形转移光刻
胶上的过程
将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。
光刻在整个硅片加工成本中几乎占三分之一。
光刻占40%到50%的流片时间。
决定最小特征尺寸。
IC制程中最重要的模块,是集成电路中关键的工艺技术最
早的构想来源于印刷技术中的照相制版。光刻技术最早于1958年开始应用,并实现了平面晶体管的制作。
光刻的一般要求
图形的分辨率高
光刻胶敏感度高
层间对准精密高
缺陷密度低
光刻胶
开始于印刷电路
1950年起应用于半导体工业
是图形工艺的关键
有正胶和负胶两种
光敏材料
均匀涂布在硅片表面
用曝光的方法转移设计图形到光刻胶上
类似于光敏材料涂布在照相用的底片上
光刻胶的成分
聚合物
溶剂
感光剂
添加剂
聚合物
固体有机材料(胶膜的主体)
转移图形到硅片上
UV曝光后发生光化学反应,溶解性质发
生改变.
溶剂
溶解聚合物
经过旋转涂布可得到薄光刻胶膜.
感光剂
控制和或改变光化学反应
决定曝光时间和强度
添加剂
为达到不同的工艺结果而添加多种不同的化学物质,如添加染色剂以减少反射。
光刻胶的要求
高分辨率
–光刻胶越薄,分辨率越高
–光刻胶越薄,抗刻蚀和离子注入能力越低
高抗刻蚀性(要求厚膜)
好的黏附性
注入屏蔽能力强和针孔少(要求厚膜)
宽工艺窗口
–能适应工艺的变更
光刻胶的种类