文档介绍：1
BJT的结构简介
半导体三极管(BJT)
BJT的电流分配与放大原理
BJT的特性曲线
BJT的主要参数
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BJT的结构简介
半导体三极管的结构示意图如下图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。
两种类型的三极管
发射结(Je)
集电结(Jc)
基极,用B或b表示(Base)
发射极,用E或e
表示(Emitter);
集电极,用C或c
表示(Collector)。
集电区
三极管符号
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结构特点:
•发射区的掺杂浓度最高;
•集电区掺杂浓度低于发射区,且面积大;
•基区很薄,一般在几个微米至几十个微米,且掺杂浓度最低。
管芯结构剖面图
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BJT的电流分配与放大原理
1. 内部载流子的传输过程
三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下,通过载流子传输体现出来的。
外部条件:发射结正偏,集电结反偏。
发射区:发射载流子
集电区:收集载流子
基区:传送和控制载流子
(以NPN为例)
载流子的传输过程
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以上看出,三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电,故称为双极型三极管。或BJT (Bipolar Junction Transistor)。
BJT的电流分配与放大原理
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2. 电流分配关系
根据传输过程可知
IC= InC+ ICBO
IB= IB’- ICBO
通常 IC >> ICBO
为电流放大系数,它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关,与外加电压无关。一般= 
IE=IB+ IC
载流子的传输过程
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根据
是另一个电流放大系数,同样,它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关,与外加电压无关。一般>> 1
IE=IB+ IC
IC= InC+ ICBO
且令
ICEO= (1+ ) ICBO
(穿透电流)
2. 电流分配关系
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3. 三极管的三种组态
共集电极接法,集电极作为公共电极,用CC表示;
共基极接法,基极作为公共电极,用CB表示。
共发射极接法,发射极作为公共电极,用CE表示;
BJT的三种组态
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RL
e
c
b
1k
图共基极放大电路
4. 放大作用
若
vI = 20mV
使
当
则
电压放大倍数
VEE
VCC
VEB
IB
IE
IC
+
-
vI
+vEB
vO
+
-
+iC
+iE
+iB
iE = -1 mA,
iC = iE = - mA,
vO = -iC• RL = V,
= 时,
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+
-
b
c
e
RL
1k
图共射极放大电路
VBB
VCC
VBE
IB
IE
IC
+
-
vI
+vBE
vO
+
-
+iC
+iE
+iB
vI = 20mV
设
若
则
电压放大倍数
iB = 20 uA
vO = -iC• RL = - V,
=
使
4. 放大作用
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