文档介绍：PVD预清洗工作室内RF反射功率的改善作者:,广泛采用Co/TiN淀积工艺形成CoSix,提供多晶硅栅所需的低接触电阻。CoSix的形成对晶圆表面原本存在的氧化物和周围环境污染非常敏感。为了在Co/TiN淀积前去除残余物,要求淀积Co膜前进行预清洗工艺。在预清洗过程中,工作室相应的RF反射功率过高问题对刻蚀速率和微粒行为有很大影响。本文给出了降低Co预清洗室RF反射功率的三种方法。)N'R(x+B3S(t/BRF反射功率问题初探3v&~PCII工作室采用一个RF谐振腔和二个频率不同的RF发生器。它应用非反应性Ar等离子在Co/TiN淀积前轻微刻蚀晶圆。通常,用这种Ar等离子轰击有望去除一薄层(约30~60A)氧化物。众所周知,高能量Ar等离子有时会导致高泄漏电流和器件损伤。因此,保持RF功率稳定以维持刻蚀性能是最为要紧的。)对于较薄的Co/TiN制作,要求极短的刻蚀时间(~几秒)、低RF功率和低RF启动压力情况下保持RF功率稳定是重大的挑战。图1的例子说明了RF反射功率在低压力时过高而使加工被迫中止。"***@0K&p8t(a-_2|0V0})a7|RF反射功率是由于功率电缆的阻抗(Z0=50Ω)和工作室阻抗(Zr)间的差异而产生的。设计RF匹配网络用调整匹配电容和电感的方法调整工作室阻抗。若工作室阻抗与Z0不匹配,就会产生RF反射功率。如果此RF反射功率过高,等离子体将不能足够稳定,系统不得不中止工作。这意味着工作室的阻抗匹配对于RF性能是极其重要的。:D1l,V)?3X(T已知的影响工作室阻抗的因素有几个,如气体、温度、甚至于清洁程度。此外,RF发生器和RF匹配盒对RF反射功率也有很大影响。为了降低Co预清洗工作室RF反射功率,我们提出以下三个途径:1)在主刻蚀前加一“点火启动”步骤作为预置等离子体,2)优化二级RF功率点火启动点,3)优化间距。0i4a9q*z'`  Q'I2I'x-E/[实验 上述的工作程序优化实验是在AMATEndura5500系统上进行的。图2(a)是ICP预清洗工作室的示意图。第一个RF电源采用高频RF功率形成DC偏压并提高刻蚀速率。第二个RF电源采用低频RF功率产生感应耦合等离子体,图2(b)是其等效电路图。&X*k4v$k9w:&a结果和讨论&s0`;C'n"-F等离子体点火启动时的工作室压力对工作室阻抗影响很大。CoSix预清洗RF源在较低压力时启动。此低压力状态增加等离子体阻抗,使得等离子体难以启动。RF等离子体在较高压力时容易启动。因而在实验中加入RF源“点火启动”一步,在这一步中工作室压力设置在某一较高