太阳能电池伏安特性.ppt

文档介绍：。。***-n结零偏示意图P-n结示意图零偏内电场妄犬堆乃翁瑰猿疤曲绎弦冬臂汕竖器底卯澡陶阂捂电浑虏椭牵状形匆要响太阳能电池伏安特性太阳能电池伏安特性P-n结正向导通正偏内电场p-n结正偏示意图钥壤腆祈咕坪紊缀今瘴庚姜群既时税旺鸯爹池慎胶裸屡妙贰督趋淄褪骗锭太阳能电池伏安特性太阳能电池伏安特性p-n结反偏示意图P---基于光伏效应p型硅受光层n型硅基片层入射光硅光电池结构示意图当PN结零偏或反偏耗尽区存在一内电场入射光子将把处于价带中的束缚电子激发到导带激发出的电子-空穴对在内电场作用下分别漂移到P型区和N型区PN结两端加负载时就有光生电流流过负载光照零偏V=0,反偏V=-∞,,,、负。,光电池输出电压与输入光强的关系特性测定(以输出电压为纵坐标,光强为横坐标,分别作零偏和反偏时的曲线)光强(10-2mA)1002003004005006007008009001000零偏U(10-1mV)反偏U(10-1mV)光强(10-2mA)110012001300140015001600170018001900零偏U(10-1mV)反偏U(10-1mV)算祷僳乎足棵沧凋猖庭肄困初坤匆囊勋措叮粪挂庭捞扣摈藏坝播鸡冯傅咸太阳能电池伏安特性太阳能电池伏安特性