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高手进阶,终极内存技术指南——完整进阶版
更新日期:年月日评测编辑约赵效民

第常篠与内存基础概念(六)

第页: 与内存基础概念(六)
、预充电
由于的寻址具体独占性,所以在进行完读写操作后,如果要对同一的另一行进行
寻址,就要将原来有效(工作)的行关闭,重新发送行列地址。关闭现有工作行,准
备打开新行的操作就是预充电( )。预充电可以通过命令控制,也可以通过辅助设
定让芯片在每次读写操作之后自动进行预充电。实际上, 预充电是一种对工作行中所有存储体
进行数据重写,并对行地址进行复位,同时释放(重新加入比较电压,一般是电容电压
的,以帮助判断读取数据的逻辑电平,因为是通过一个参考电压与存储体位线电压的
比较来判断逻辑值的),以准备新行的工作。具体而言,就是将中的数据回写,即使是
没有工作过的存储体也会因行选通而使存储电容受到干扰,所以也需要进行读后重写。
此时,电容的电量(或者说其产生的电压)将是判断逻辑状态的依据(读取时也需要),为此
要设定一个临界值,一般为电容电量的,超过它的为逻辑,进行重写,否则为逻辑,不
进行重写(等于放电)。为此, 现在基本都将电容的另一端接入一个指定的电压(即电容
电压),而不是接地,以帮助重写时的比较与判断。
现在我们再回过头看看读写操作时的命令时序图,从中可以发现地址线控制着是否进行在
读写之后当前自动进行预充电,这就是上文所说的“辅助设定”。而在单独的预充电命
令中, 则控制着是对指定的还是所有的(当有多个处于有效活动状态
时)进行预充电,前者需要提供的地址,后者只需将信号置于高电平。
在发出预充电命令之后,要经过一段时间才能允许发送行有效命令打开新的工作行,这个
间隔被称为( ,预充电有效周期)。和、一样, 的单
位也是时钟周期数,具体值视时钟频率而定。
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(上图可点击放大)
尽享海量存
款
读取时预充电时序图:图中设定: 、、。自动预充电时的开始时间与此图一

样,只是没有了单独的预充电命令,并在发出读取命令时, 地址线要设为高电平(允许自报告(下):效能
动预充电)。可见控制好预充电启动时间很重要,它可以在读取操作结束后立刻进入新行的寻期待已久:
址,保证运行效率。芯片组

误区:读写情况下都要考虑写回延迟报告(上):技
漫步者的
有些文章强调由于写回操作而使读写操作后都有一定的延迟,但从本文的介绍中写可以看出,
之路,
即使是读后立即重写的设计,由于是与数据输出同步进行,并不存在延迟。只有在写操作后进行
其他的操作时,才会有这方面的影响。写操作虽然是延迟进行,但每笔数据的真正写入则需要

一个足够的周期来保证,这段时间就是写回周期( )。所以预充电不能与写操作同时进行,
必须要在之后才能发出预充电命令,以