文档介绍：Π
ΠΠ
Π
1
1
Π
Π 2
Π
Π
Π 2
中国照明电器

2008 年第 4 期 CHINA LIGHT &LIGHTING 39
2007 年中国半导体照明产业数据
2007 年,我国半导体照明产业发展向好,外延芯为 LED 全彩显示屏、太阳能 LED、景观照明等应用产
片企业的发展尤其迅速,封装企业规模继续保持较快品世界最大的生产和出口国,新兴的半导体照明产业
增长,照明应用取得较大进展。在产业规模迅速增长正在形成。国内在照明领域已经形成一定特色,其中
的同时,国内产业结构也有了较大提升,中高端产品户外照明发展最快,已有上百家 LED 路灯企业并建
份额逐步增加,如显示屏芯片、SMD 和大功率封装产设了几十条示范道路,但国内在大尺寸 LCD 背光和
品、路灯等照明产品都有明显进步。汽车前照灯方面仍显落后。
截至 2007 年 12 月,我国 MOCVD 总量 80 多台, 目前为小功率芯片 90 lm W、功率
其中生产型 GaN MOCVD 50 多台、生产型四元系型芯片 70 lm W ,功率型芯片产业化水平达到 60 lm
MOCVD 10 台左右,其他为国内科研院所的研究型设 W ,更加接近。在衬底制备、外延生
备。国内根据各厂商投资计划,2008 年预计将新增长、芯片工艺等方面掌握了一批具有自主知识产权的
MOCVD 超过 40 台,我国外延芯片产能规模将有非常技术。功率型白光封装在封装结构设计、散热、透镜、
大的提升。荧光粉涂敷等方面取得重要研究进展,采用国外芯片
2007 年我国芯片产值达到 15 亿元,较 2006 年的封装后光效可达 70~80 lm W ,达到。
10 5 亿元增长 43 % ,其中国内 GaN 芯片产值 8 亿元, 但国内稳定、批量,特别是高品质的生产技术需要进
较 2006 年的 4 5 亿元增长 78 %。2007 年国产 GaN 芯一步提高。
片产能增加同样非常突出,较 2006 年增长 60 % ,达到国内外功率型白光 LED 技术指标对比( 2007 年 12 月)
960kk 月,实际年产量达到 90 亿只,国产率也提升到( 数据来源:CSA china led. net)
了 35 %。最为重要的是,国产芯片的性能提升较快, 发光效率(lm W)
分类显色指数
已经在显示屏、信号灯、户外照明、中小尺寸背光等高(电流为 350mA 时)
端应用获得认可,市场结构有了较为明显的改善。预目前 60~68 > 80
“十五”末 30~40 > 70
计未来几年均增长率将在 30 %
韩国、我国台湾地区 60~70 > 80
以上。美、日、欧 70~80 > 80
2007 年我国 LED 封装产值达到 168 亿元, 较
值得注意的是,国际半导体照明核心专利的纠纷
年的亿元增长产量则由年的
2006 148 15 % ; 2006 660 开始直接影响国内企业。美国相关研究机构最近通
亿只增加 24 % ,达到 820 亿只,其中高亮 LED 产值达
过申请“337 调查”,