文档介绍：第一章常用半导体器件
自测题
一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
(1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。( )
(2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( )
(3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( )
(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( )
(5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。( )
(6)若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。( )
解:(1)√(2)× (3)√(4)× (5)√(6)×
二、选择正确答案填入空内。
(1)PN结加正向电压时,空间电荷区将。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽
(2)设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是。
A. ISeU B. C.
(3)稳压管的稳压区是其工作在。
A. 正向导通
(4)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为。
A. 前者反偏、后者也反偏
B. 前者正偏、后者反偏
C. 前者正偏、后者也正偏
(5)UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管
解:(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C
三、,设二极管导通电压UD=
。
解:UO1≈,UO2=0,UO3≈-,UO4≈2V,UO5≈,
UO6≈-2V。
四、已知稳压管的稳压值UZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA。。
解:UO1=6V,UO2=5V。
五、,其集电极最大耗散功率PCM=200mW,试画出它的过损耗区。
解:根据PCM=200mW可得:UCE=40V时IC=5mA,UCE=30V时IC≈,UCE=20V时IC=10mA,UCE=10V时IC=20mA,将各点连接成曲线,即为临界过损耗线,。临界过损耗线的左边为过损耗区。
六、,VCC=15V,β=100,UBE=。试问:
(1)Rb=50kΩ时,uO=?
(2)若T临界饱和,则Rb≈?
解:(1)Rb=50kΩ时,基极电流、集电极电流和管压降分别为
μA
所以输出电压UO=UCE=2V。
(2)设临界饱和时UCES=UBE=,所以
,它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区),并填入表内。
管号
UGS(th)/V
US/V
UG/V
UD/V
工作状态
T1
4
-5
1
3
T2
-4
3
3
10
T3
-4
6
0
5
解:因为三只管子均有开启电压,所以它们均为增强型MOS管。根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态,。
管号
UGS(th)/V
US/V
UG/V
UD/V
工作状态
T1
4
-5
1
3
恒流区
T2
-4
3
3
10
截止区
T3
-4
6
0
5
可变电阻区<br****题
选择合适答案填入空内。
(1)在本征半导体中加入元素可形成N型半导体,加入元素可形成P型半导体。
A. 五价 B. 四价 C. 三价
(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。
A. 增大 B. 不变 C. 减小
(3)工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的β约为。
A. 83 B. 91 C. 100
(4)当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将。
解:(1)A ,C (2)A (3)C (4)A
?为什么?
解:不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,,管子会因电流过大而烧坏。
,已知ui=10sinωt(v),试画出ui与uO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。