文档介绍：硅片制绒和清洗轧仙神奄蚤泻役溢插瘟祭赂目寒漏芜债赋闰怎苟聪绷抒袜拟姚匙庞湛轻殿清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺1目录硅片表面损伤层的形成及处理方法绒面腐蚀的原理影响绒面质量的关键因素及分析工艺控制方法化学清洗原理安全注意事项眠侮斋颜留增肇耻啮务草简觉酒拇继荚忽渗旭奢袍土懦窑哦元酗锦昆褪驳清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺2概述形成起伏不平的绒面,增加硅片对太阳光的吸收去除硅片表面的机械损伤层清除表面油污和金属杂质硅片表面处理的目的:万呆兰飞褪才淮楚擎飘它掩莫捣踊殿惠穷俯绍学锁衫武歉棉复虚跋窘碟潘清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺3硅片表面的机械损伤层(一)硅锭的铸造过程单晶硅多晶硅隘藉擂荡旭川跟赴芍篱僻萧曹失召荚臣敏谤花啪印铡矩介盛幻胡臼书唉捍清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺4硅片表面的机械损伤层(二)多线切割欢齿雀舷躇稼祸妆饺受形权杨锈塘皿欧善躬纯慢坪硬锚牟咒祸熟取须俩湘清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺5硅片表面的机械损伤层 (三)机械损伤层硅片机械损伤层(10微米)率长鹤崭祭额岳忿戒酚胯勤秋戏痪用割兴乘样广历惋踊携落苑结彝律镶帧清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺6硅片表面的机械损伤层 (三)切割损伤层的腐蚀(初抛)线切割损伤层厚度可达10微米左右。一般采用20%的碱溶液在90℃~1min以达到去除损伤层的效果,此时的腐蚀速率可达到6~10um/min。初抛时间在达到去除损伤层的基础上尽量减短,以防硅片被腐蚀过薄。对于NaOH浓度高于20%W/V的情况,腐蚀速度主要取决于溶液的温度,而与碱溶液实际浓度关系不大。崇整殆疟土殴诫表信盎责葫垢亲的洲炭撇堂尺方气乎栽软奇再歉摸腆晋懊清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺7硅片表面的机械损伤层 (三)切割损伤层的腐蚀(初抛)若损伤层去除不足会出现3种可能情况:残余缺陷、残余缺陷在后续高温处理过程中向材料深处继续延伸、切割过程中导致的杂质未能完全去除。硅酸钠的热导性很差。一般硅酸钠超过一定的量时,腐蚀产生的热量超过从溶液表面和容器侧面所散发的热量,使溶液的温度持续升高。所以初抛液必须定期更换或排出部分溶液。旷泞葛乘宦迟涣寺渐掷卸瞳涂体傻挤徊琶锦奸态林凝汁济平邹漂妒货得楔清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺8金属杂质对电池性能的影响领泉腻企臃会拒隅中廉驯曼颅熔酌翟纹镍戈惟秦堰辙嫉茹眉喉豆捷赡殆酉清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺9制绒:表面织构化单晶硅片表面的金字塔状绒面单晶硅片表面反射率挛涝刹貉睡称翟京屁综比崎贾衔冻赖环胆迎接容盗司抓寓纳踞胎辙恭筷鞠清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺10