凝聚态物理2隧穿晶体管 刘强（精选）.ppt

文档介绍：隧穿晶体管(TFET)—高能效电子开关
报告人:刘强
院系: 理学院物理系
导师: 任伟教授
日期:
主要内容
2017/7/11
2




2017/7/11
3
原理阐述
G
N+
N+
P掺杂


N-
G
N+
P++


关断状态
关断状态
加栅极电压
加栅极电压

2017/7/11
4
原理阐述
对MOS管来说
G
N+
N+
特点:
;
。
对TFET来说

2017/7/11
5
原理阐述
特点:
;
,需要:

2017/7/11
6
增大的方法



2017/7/11
7
增大的方法
:
可以保证继续减小栅长

2017/7/11
8
减小λ的方法
;
:环栅、小的体厚;
。

N-
G
N+
P++
在几纳米内分出4、5个浓度数量级
无掺杂区域
λ1
λ2

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漏电流的产生
漏电流的产生:
降低掺杂浓度

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10
III-V族半导体
栅极电压Vg
如何有窄的Eg和有效质量较小的载流子?
Group III-V-semiconductor-based TFETs
Si、Ge是间接带隙半导体,而GaAs、InAs、InSb等是直接带隙半导体,可以提供较高的迁移率。