文档介绍：中国科学技术大学
硕士学位论文
Si和SiO2/Si衬底上石墨烯的生长和结构表征
姓名:李利民
申请学位级别:硕士
专业:同步辐射及应用
指导教师:潘国强;徐彭寿
2011-05
摘要
摘要
石墨烯是一种由碳原子紧密堆积成的单层二维蜂窝状晶格结构的新材料,具
有许多奇特的力学、电学和热学性能,使其在集成电路、功能性复合材料、储能
材料、催化剂载体等方面具有很广泛的应用前景。目前,已发展了多种制备石墨
烯的方法,如:微机械剥离法、化学剥离法、金属衬底外延法和 SiC 高温退火法
等。然而,这些方法制备的石墨烯都需要特殊的衬底或者需要把制备的石墨烯转
移到绝缘衬底材料上才能进行微电子器件的设计与利用,并且不能与目前的 Si
基半导体工艺相结合。
在本文中,我们探索了在 Si 基衬底和 SiO2/Si 基衬底上沉积固态碳原子的方
法直接制备石墨烯薄膜,并通过同步辐射及一些常规的表征方法研究了薄膜的结
构特征,为 Si 基衬底上制备石墨烯做出了有益的探索。主要的研究工作及结果
如下:
1)在 Si(111)衬底表面上在不同的衬底温度(400、600、700、800℃)下
直接沉积固态碳原子制备石墨烯。利用 RHEED、FTIR、Raman 和 NEXAFS 技
术对制备的薄膜进行了结构表征,结果表明:在 400、600 和 700℃温度下制备
的薄膜仅为无定形碳,而只有在 800℃温度下制备的薄膜才具有石墨烯的特征,
同时发现在 800℃的样品中有 SiC 层生成。因此我们认为,衬底温度对 Si 衬底上
石墨烯的形成起重要作用,同时,SiC 缓冲层的形成对石墨烯的生长有促进作用。
2)在 SiO2/Si 衬底上,利用直接沉积固态碳原子的方法在不同的衬底温度下
(500、600、700、900、1100、1200℃)制备石墨烯薄膜。利用 Raman、NEXAFS
和 XPS 技术对薄膜结构进行了结构表征,结果表明:700℃是石墨烯形成的初始
温度,而 1100℃是石墨烯形成的最优化温度。随着衬底温度的升高,形成的石
墨烯质量逐渐提高,但是过高的衬底温度会导致氧化层的分解,使形成的石墨烯
质量变差。

关键词:固源分子束外延石墨烯硅衬底 SiO2/Si 衬底
I
ABSTRACT
ABSTRACT
Graphene is a new material, comprising of a monolayer of carbon atoms packed
into a two-dimensional b lattice, exihibits a series of unusual mechanical,
electrical and thermaldynamic properties and will be widely applied in integrated
circuit, posite materials, energy storage materials, catalyst support etc.
At present, many production methods of graphene have been developed, such as
micromechanical cleavage, chemical stripping, metal substrate epitaxy, SiC thermal
annealing, etc. However, the graphene prepared by these methods require special
substrates or needs to be transferred to other insulative substrates due to their
micro-electrical devices design and application, and it can not be used with the current
Si-based semiconductor technology.
In this theis, we explore to grow graphene films on the substrates of SiO2/Si via
directely depositing solid-state carbon atoms, moreover, synchrotron radiation (SR)
experimental technology and some norm