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基于第一性原理计算的半金属磁性材料电子结构和自旋结构研究-凝聚态物理专业论文.docx

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上传人:wz_198613 2019/2/2 文件大小:3.16 MB

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文档介绍:茎堡里三奎兰堡圭堂垡笙奎Abstracththepastdecades,half-s,inwhichoneofthetwospinchannelsismetallic,whiletheotherhasallenergygaparoundtheFermienergy,,,harge,,,nowadays,thekeytosemiconductorspintronicsisthattheefficiencyofspin—polarizedelectronsinjectedintosemiconductorsisverylow,icmaterialswithhJ曲spin--hasahigherCurietemperatureandalmost100%spin-polarization,Therefore,,ourpurposeistopredictnewhalf-(FP—LAPW)methodbasedOnthedensityfunctionaltheory(DFr),【(CH3)4N]2MGe4Slo(M=Fe,Cd).Theybelongtotetragonalsystem,spacegroup14(82),theresultshowsthat【(CH3)4N]2MGe4Sloarchalf--anichalf-sareeasiertobesynthesized,processed,,whetherintheoreticalaspectortheaspectofexperimentalsynthesis,muchattentionhasbeenpaidtoinvestigatethemechanismbehindthehalf- icsemiconductor(DMS)is also ,alternativenon-,icproperties,forexample,ic,anti-ic,—aAs(110)orientationindicatethatGaAsMn—a,GaAsMn-B,GaAsMn-^ralethehalf--dorbitexchangeandAsp-:Half-ism,Densityfunctiontheory(DVr),Densityofstates(DOS),Firstprinciples,Electronicstructure111独创性声明本人声明,所呈交的论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得武汉理工大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中明确的说明并表示了谢意。研究生签名: 圣强 日期回:占:‘关于论文使用授权的说明本人完全了解武汉理工大学有关保留、使用学位论文的规定,即:学校有权保留送交论