文档介绍：独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作和取得的研究成果,除了文中特别加以标注和致谢之处外,论文中不包含其他人日经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得 久哼搜工九学 或其他教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。学位抢文作者签名:机 签字町期:切f' 年 j Jl,日学位俗文版权使用授权书本学位论文作者完全了解 叉璋嫂工九学有关保留、使用学位论文的规定。特授权天津班工大学 可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,并采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编,以供查阅和借阅。同意学校向国家有关部门或机构送交论文的复本和电子文件。(保密的学位论文在解密后适用本授权说明)学位俗文作者签名:夺取 导坤签名: 批屯1生答字町期 )Dt(年「月 IQ 签字同期:lD,'年了Jln anicFieldEffect丁'ransistor,OFET),因其具有独特优点,如低成本、低功耗、制备工艺简单、可与梁性衬底相兼容、大面积生产等,己广泛应用于射频卡、识别卡、各种传感器、平板显示器的有源驱动电赂、环形振荡器以及有机电子纤维等领域。在OFET中,对于器件性能的提高逾径除了选取合适的材料、结构以外,引用修饰层也是一种重要的方法,其中包括绝缘层/有机层界面的修饰和有机应/源漏电极界丽的修饰。四此,研究修饰层的作用,对于提高 OFET性能具有意耍的意义。本论文首先对OFET近几十年来经历的不同发展阶段进行了综述,介绍了OFET的主要应用领域,并对OFET的发展趋势和存在的问题进行了总结。其次,总结分析了常用OFET器件的结构及其利弊,概括了制备OFET需要的各种基本材料,阐述了OFET的工作机理,载流子的注入和传输等相关理论。基于引入修饰层可以提高OFET性能,针对当前OFET的发展现状以及存在的问题,本论文将研究内容定位于制备不问界面修饰层的OFET器件,研究了各种不同修饰层对于器件性能的影响。具体的研究工作如下:(1)以无机SiÛ2作为OFET的绝缘层,有机材料聚***丙烯酸申酣(poly(hacrylate),PMMA)为Si02修饰店,制备了基于并1i苯的OFET,研究了PMMA修饰层的浓度对于器件性能的影响。与单栅绝缘层的器件相比,经过 PMMA修饰的绝缘屁器件优化了有机半导体和绝缘层界面间的接触,降低了栅极漏电流。其中, PMMA浓度为1OrnglrnL时,得到器件的性能最高。通过利用薄的有机聚合物材料修饰高介电系数的无机绝缘层获得了器件性能的提高。(2)采用非妇慕睹琳铝(Alq3)作为有源层的修饰层,制备了基于C60的OFET器件,研究了修饰层的厚度对于器件性能的影响。随着Alq3修饰层厚度的增加,器件的性能参数有所改进。器件在lOnrn厚的Alq3修饰层时,场效应的迁移率达到最大值,"2crn2Ns,阙值电底下降至10Vo分析了引入修饰层使器件性能提高的主要原因:一方面是阻止了金属原子扩散进入到C60有机展:而另一方面可能是源于AlJC60界面间的沟道电阻降低。(3)采用LiF、Alq3以及Alq3/LiF双层作为有源层的修饰层,制备了基于C60的OFET,研究了不问修饰层的器件对于场效应性能的影响。与未加修饰层的器件相比,经过修饰器件性能具荷一定的提高,其中,以Alq3/LiF为双修饰层的器件的场效应的迁移率达到最大值,,Alq3/LiF之间的协同作用导致电极和有源层的接触势盘降低是器件性能提高的原因。关键词:anicFieldEffectTransistor(OFET)using0昭anicsemiconductormaterialsasactivelayers,havebeenpaidmuchattentionduetotheiruniqueproperties,suchaslow创悦,low-powerωnsumption,facilefabricationprocesses,mechanicalflexibility,large-areaandtheirwidelyusedinRFcards,identificationcards,sensingdevices,drivingactivematrixdisplays,ring-创cillators,,butalsotheintroductionofmod