文档介绍：—201XGB/T19921-2005硅抛光片表面颗粒测试方法GuideforMethodofParticlesonSiliconWaferSurfaces(讨论稿)XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施前言本标准按照GB/—2009给出的规则起草。本标准与GB/T19921—2005相比,主要有以下变动:本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。本标准起草单位:有研半导体材料有限公司、上海合晶硅材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、南京国盛电子有限公司。本标准主要起草人:孙燕、冯泉林、陈信、潘紫龙、徐新华、张海英、骆红。本标准所代替标准的历次版本发布情况为:——GB/T19921-2005。硅抛光片表面颗粒测试方法1范围本标准提供了应用扫描表面检查系统(SSIS)对硅抛光片、外延片表面的局部光散射体(LLSs,习惯上称为颗粒)进行测试、计数和报告的程序。本标准同样适用于锗抛光片以及其他化合物抛光片。注:本标准中将硅抛光片、外延片、锗抛光片及其他化合物抛光片等镜面片子简称为晶片。本标准提供了应用扫描表面检查系统(SSIS)对硅抛光片上COP进行分辨、测试、计数和报告的程序。本标准也可观测晶片表面的划伤、桔皮、凹坑、波纹等缺陷,以及对表征晶片表面微粗糙度的Haze但这些缺陷的检测、分类依赖于设备的功能,并与检测时设备的初始设置有关。—11nm线宽工艺用硅片,本标准提供了扫描表面检测系统(SSIS)的测量建议。。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法GB/T12962硅单晶GB/T12964硅单晶抛光片GB/T14139硅外延片GB/T14264半导体材料术语GB/T29504300mm硅单晶GB/T29506300mm硅抛光片GB50073洁净厂房设计规范SEMIM35自动检测硅片表面特征的发展规范指南SEMIM50用于扫描表面检查系统捕获率和虚假计数率的测定方法SEMIM52关于130nm-。(CR)capturerate扫描表面检查系统在一确定的设置下运行时,检查系统探测到的局部光散射体(LLSs)的乳胶球当量(LSE)信号的概率。,扫描表面检查系统可收集信号的覆盖范围。(SSIS)对缺陷归类的总数量比例,与人与机器对于缺陷归类的结果同意人归类缺陷时总数量。(SSIS)对缺陷归类的总数量比例,机器和人各自对于缺陷归类的结果同意机器缺陷归类特定级别时总数量。、单个分散的聚苯乙烯乳胶球,测量乳胶球直径尺寸的分布变化系数与由乳胶球状悬浮体供应商所提供的球的标称尺寸分布的变化系数之比。(FC)falsecount由设备原因引起的,而不是来自晶片表面或近表面的激光散射现象的发生。也称为正向虚假计数或正向误报计数。(FCR)falsecountrate每个硅片的总虚假计数的平均值,是在SSIS运行设置时由SSIS报告的。(CFCR)Cumulativefalsecountrate作为尺寸的函数分析虚假计数率去确定累计虚假计数率,在每个尺寸Si方面,由尺寸相当或大于Si获得的总虚假计数率除以扫描次数Z得到。,矩形的宽度正比于数据组的尺寸,每个矩形的高度比例于相应尺寸发生的频度(即数量)。:1级变化率:也称为可重复性,在N次测量期间,测试晶片不被从测量系统上取下。其相应的标准偏差为σ1;2级变化率:在同样的测试条件下校准一次后,在尽可能短的时间内对晶片重复测试N次,且每次都需要装载和取出晶片,其对应的标准偏差为σ2;3级变化率:在规定的条件下,每天进行N次测量,共进行5天。其标准偏差为σ3。