文档介绍：N基底:N型半导体PP两边是P区G栅极S源极D漏极一、结构导电沟道PN结(耗尽层):(栅极)S源极D漏极P沟道结型场效应管DGSN沟道结型场效应管NPPG栅极S源极D漏极DGS符号:二、工作原理(以N沟道为例)当UDS=0V时:UGSDGSNPP*若加入UGS<0,PN结反偏,耗尽层变厚*若UGS=0,沟道较宽,沟道电阻小沟道变窄,沟道电阻增大*若UGS=VP(夹断电压)时沟道夹断,沟道电阻很大|UGS|越大,则耗尽区越宽,导电沟道越窄。但当|UGS|较小时,耗尽区宽度有限,存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。沟道夹断时(夹断电压VP),耗尽区碰到一起,DS间被夹断,这时,即使UDS0V,漏极电流ID=0A。加入UGS使沟道变窄,该类型效应管称为耗尽型漏源电压VDS对iD的影响随VDS增大,这种不均匀性越明显。当VDS增加到使VGD=VGS-VDS=VP时,在紧靠漏极处出现预夹断点。当VDS继续增加时,预夹断区向源极方向伸长。电阻增大,使VDS增加不能使漏极也增大,漏极电流iD趋于饱和。*在栅源间加电压VGS,漏源间加电压VDS。由于漏源间有一电位梯度VDS漏端耗尽层所受的反偏电压为VGD=VGS-VDS源端耗尽层所受的反偏电压为VGD=VGS使靠近漏端的耗尽层比源端厚,沟道比源端窄,故VDS对沟道的影响是不均匀的,使沟道呈楔形,沟道夹断前,iD与vDS近似呈线性关系。:(1)当vGS为定值时,管子的漏源间呈线性电阻,且其阻值受vGS控制,(iD是vDS的线性函数)。(2)管压降vDS很小。用途:做压控线性电阻和无触点的、闭合状态的电子开关。条件:源端与漏端沟道都不夹断(1)可变电阻区1、输出特性曲线:(动画2-6)用途:可做放大器和恒流源。(2)恒流区:(又称饱和区或放大区)条件:(1)源端沟道未夹断(2)漏端沟道予夹断(2)恒流性:输出电流iD基本上不受输出电压vDS的影响。特点:(1)受控性:输入电压vGS控制输出电流(3)夹断区:用途:做无触点的、接通状态的电子开关。条件:整个沟道都夹断(4)击穿区当漏源电压增大到时,漏端PN结发生雪崩击穿,使iD剧增的区域。其值一般为(20—50)V之间。由于VGD=VGS-VDS,故vGS越负,对应的VP就越小。管子不能在击穿区工作。特点:2、-氧化物-半导体场效应管绝缘栅型场效应管(MetalOxideSemiconductor)——MOSFETN沟道P沟道增强型N沟道P沟道耗尽型增强型(N沟道、P沟道),VGS=0时无导电沟道,iD=0耗尽型(N沟道、P沟道),VGS=0时已有导电沟道。类型及其符号: