理学衬底制备.pptx

文档介绍：§、、Ge、C(金刚石)、SiGe、SiC、GaN、ZnO、Ⅱ族 Ⅲ族 Ⅳ族 Ⅴ族 Ⅵ族 第2周期 B C N O 第3周期 Al Si P S 第4周期 Zn Ga Ge As Se 第5周期 Cd In Sn Sb Te 第6周期 Hg Pb元素半导体Si:①占地壳重量25%;②单晶直径最大,目前32英吋(80cm),每3年增加1英吋;③SiO2:掩蔽膜、钝化膜、介质隔离、绝缘介质(多层布线)、绝缘栅、MOS电容的介质材料;④多晶硅(Poly-Si):栅电极、杂质扩散源、发射极互连线(比铝布线灵活);元素半导体Ge:①漏电流大:禁带宽度窄,(Si:);②工作温度低:75℃(Si:150℃);③GeO2:易水解(SiO2稳定);④本征电阻率低:47Ω·cm(Si:·cm);⑤成本高。二、:N型与P型都易制备;:--105Ω·cm,且均匀性好(纵向、横向、微区)、可靠性高(稳定、真实);(少数载流子):晶体管—长寿命;开关器件—短寿命;:无位错、低位错(<1000个/cm2);二、:电子级硅(EGS,electronic-grade-silicon)--1/109杂质;:双极器件--<111>;MOS--<100>;GaAs--<100>;::、次定位面:、迁移率、晶格匹配等。三、晶体结构无定形(非晶)不存在重复结构多晶有一些重复结构单晶一个完整的重复结构无定形结构多晶结构单晶结构