电子回旋共振等离子体辅助脉冲式沉积氧化铝薄膜的研究.doc

文档介绍：第 30卷第 3期
2010年 5、月

真空科学与技术学报

CHINESE JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY


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电子回旋共振等离子体辅助脉冲式
沉积氧化铝薄膜的研究
(北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室北京 102600)
Gro wth of Al 2O3 Films by Pulsed Electron Cyclotron Resonance
Plasma Deposition
( Key Laboratory of Beijing for Graphic & Packaging Material and Technology , Beijing Institute of
munication , Beijing 102600 , China)
Abstract The Al2O3 films were grown by pulsed electron cyclotron resonance plasma deposition at room temperature
on Si substrates with trimethylaluminum and oxygen as the precursor and oxidant ,respectively. The impacts of film growth
conditions on the quality of the film were studied. The microstructures and stoichiometries of the films were characterized
resolution transmission electron microscopy. The results show that the fairly smooth , compact Al2O3 films with a thickness
Keywords Electron cyclotron resonance ,Atomic layer deposition ,TMA ,Al2O3
摘要采用自行设计和加工的微波电子回旋共振装置、进气系统和工艺程序,以三甲基铝为前躯体,氧气为氧化剂, HF
处理过的单晶硅片为基片,在无任何外加热条件下进行原子层沉积氧化铝薄膜的实验研究。利用 X射线衍射、X射线光电子
能谱、描电子显微镜、子力显微镜、分辨率透射电子显微镜等分析手段对薄膜进行了化学成分和微观结构的表征。结
果表明,制备的氧化铝薄膜为非晶态结构,薄膜的表面非常光滑平整。薄膜的截面微观结构图像显示,薄膜厚度大约为 80
nm ,界面清晰、照周期数和层数线形生长规律进行生长。
关键词电子回旋共振原子层沉积三甲基铝氧化铝
中图分类号: TB43 ,TB74 文献标识码:A doi :10. 3969/ j. issn. 1672 - 7126. 2010. 03. 16
Al2O3薄膜具有很多优异的物理性能和化学性性能[2 ]。通常有很多薄膜制备技术可以制备 Al2O3
能,如:较高的介电常数、热导率、辐照损伤能力
强、碱离子渗透能力强以及在很宽的波