文档介绍：(1)为什么E-MOSFET的阈值电压随着半导体衬底掺杂浓度的提高而增大?而随着温度的升高而下降?  
; G4 M2 v8 t: @% i, t1 P6 Z  [& {【答】E-MOSFET的阈值电压就是使半导体表面产生反型层(导电沟道)所需要加的栅极电压。对于n沟道E-MOSFET,当栅电压使得p型半导体表面能带向下弯曲到表面势ψs≥2ψB时,即可认为半导体表面强反型,因为这时反型层中的少数载流子(电子)浓度就等于体内的多数载流子浓度(~掺杂浓度);这里的ψB是半导体Fermi势,即半导体禁带中央与Fermi能级之差。阈值电压VT包含有三个部分的电压(不考虑衬偏电压时):栅氧化层上的电压降Vox;半导体表面附近的电压降2ΨB:抵消MOS系统中各种电荷影响的电压降——平带电压VF。 ' U! A3 S8 f0 X5 z) ~
2012-6-28 11:45:57 上传
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  在阈值电压的表示式中,与掺杂浓度和温度有关的因素主要是半导体Fermi势ψB。当p型半导体衬底的掺杂浓度NA提高时,半导体Fermi能级趋向于价带顶变化,则半导体Fermi势ψB增大,从而就使得更加难以达到ψs≥2ψB的反型层产生条件,所以阈值电压增大。8 @
  当温度T升高时,半导体Fermi能级将趋向于禁带中央变化,则半导体Fermi势ψB减小,从而导致更加容易达到ψs≥2ψB的反型层产生条件,所以阈值电压降低
(2)为什么E-MOSFET的源-漏电流在沟道夹断之后变得更大、并且是饱和的(即与源-漏电压无关)?    E& o) ]- P/ ~5 S
' N; H/ [% i1 J% n  ?【答】E-MOSFET的沟道夹断是指栅极电压大于阈值电压、出现了沟道之后,源-漏电压使得沟道在漏极端夹断的一种状态。实际上,沟道在一端夹断并不等于完全没有沟道。当栅电压小于阈值电压时,则完全没有沟道,这是不导电的状态——截止状态。而沟道的夹断区由于是耗尽区,增加的源-漏电压也主要是降落在夹断区,则夹断区中存在很强的电场,只要有载流子到达夹断区的边缘,即可被电场拉过、从漏极输出,因此夹断区不但不阻止载流子通过,而相反地却能够很好地导电,所以有沟道、并且沟道在一端夹断的状态,是一种很好的导电状态,则沟道夹断之后的输出源-漏电流最大。  4 ~6 X7 Z: T0 {* M$ n
/ T+# oE-MOSFET的沟道在漏极端夹断以后,由于夹断区基本上是耗尽区,则再进一步增加的源-漏电压,即将主要是降落在夹断区,这就使得未被夹断的沟道——剩余沟道的长度基本上保持不变;而在沟道夹断之后的源-漏电流主要是决定于剩余沟道的长度,所以这时的源-漏电流也就基本上不随源-漏电压而变化——输出电流饱和。  2 P7 O# u& ^! s  v0 q$ ^
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(3)为什么短沟道E-MOSFET的饱和源-漏电流并不完全饱和?  ! _8 w4 X" ( Z4 v% b4 |$ N. n  j+ w
对于短沟道MOSFET,引起输出源-漏电流饱和的原因基本上有两种:一种是沟道夹断所导致的电流饱和;另一种是速度饱和所导致的电流饱和。  / \1 H) ^! v- r5 X8 p. D9 i)