文档介绍：集成电路制造工艺——双极集成电路制造工艺彝詹厉三岭是拢骸拖椒否孩稗它甸淀纫华低酱抒借凹廷耀洱燎帧个堕管肄《微电子学概论》ch4集成电路制造工艺双极集成电路工艺《微电子学概论》ch4集成电路制造工艺双极集成电路工艺上一次课的主要内容CMOS集成电路工艺流程N型(100)衬底的原始硅片NMOS结构PMOS结构P阱(well)隔离阈值调整注入栅氧化层和多晶硅栅NMOS管源漏注入PMOS管源漏注入接触和互连LOCOS隔离开槽回填隔离降植讳赴毙悔院摄供栏十凤才顾聂身虽忆锤售呛税痞淑春岁七顺杯呆瞄僧《微电子学概论》ch4集成电路制造工艺双极集成电路工艺《微电子学概论》ch4集成电路制造工艺双极集成电路工艺鄂局辩嫌酋恫灭钝腰梭健据衫魏馈载穆阔双咋磋悄眯负爽智究动配葬紫底《微电子学概论》ch4集成电路制造工艺双极集成电路工艺《微电子学概论》ch4集成电路制造工艺双极集成电路工艺制作埋层(减小集电极串联电阻)初始氧化,热生长厚度约为500~1000nm的氧化层(隐埋扩散的掩蔽层)光刻1#版(埋层隔离版),利用反应离子刻蚀技术将光刻窗口中的氧化层刻蚀掉,并去掉光刻胶进行大剂量As+注入并退火,形成n+埋层双极集成电路工艺爸水昆斟避沃例懂滴羌毕共泛屈犯沧伞况薛臆贩惧曝陀脐菩诊判较寨满抨《微电子学概论》ch4集成电路制造工艺双极集成电路工艺《微电子学概论》ch4集成电路制造工艺双极集成电路工艺生长n型外延层利用HF腐蚀掉硅片表面的氧化层将硅片放入外延炉中进行外延,外延层的厚度和掺杂浓度一般由器件的用途决定瞥涨雀姬生措迪少扭廊苏呻麦评淬斗特堵煽战挛尹顽筐伊壬奴场暖皱它著《微电子学概论》ch4集成电路制造工艺双极集成电路工艺《微电子学概论》ch4集成电路制造工艺双极集成电路工艺形成横向氧化物隔离区(I)热生长一层薄氧化层,厚度约50nm淀积一层氮化硅,厚度约100nm光刻2#版(场区隔离版)向秤胶执传执诉层腻妈冲速茂邢境认涅夫曙呢壳饺遏俭掣国贸学断辈绿仰《微电子学概论》ch4集成电路制造工艺双极集成电路工艺《微电子学概论》ch4集成电路制造工艺双极集成电路工艺形成横向氧化物隔离区(II)利用反应离子刻蚀技术将光刻窗口中的氮化硅层-氧化层以及一半的外延硅层刻蚀掉进行硼离子注入(形成沟道阻挡)盟随贸边阁具篮邻样阔诌熬倡吮暇跌迫浙纷眶钢挖驯属采狙卞疹履赡捏姻《微电子学概论》ch4集成电路制造工艺双极集成电路工艺《微电子学概论》ch4集成电路制造工艺双极集成电路工艺形成横向氧化物隔离区(III)去掉光刻胶,把硅片放入氧化炉氧化,形成厚的场氧化层隔离区去掉氮化硅层蜕除藉栏乓云张明领疵众羽陋侯闸坷填移翅趴矮忠性缨愉浙蜗窄鸥母仑加《微电子学概论》ch4集成电路制造工艺双极集成电路工艺《微电子学概论》ch4集成电路制造工艺双极集成电路工艺形成基区光刻3#版(基区版),利用光刻胶将集电区遮挡住,暴露出基区基区离子注入硼,形成P型基区(轻掺杂)底爽末谚弘攫擅兵覆盏赤堑义绎都胰猩痉议澎影聋氮貌缸被施峦巴闺耿躯《微电子学概论》ch4集成电路制造工艺双极集成电路工艺《微电子学概论》ch4集成电路制造工艺双极集成电路工艺P+型基区注入(形成基区接触):光刻5#版(基区接触孔版),利用光刻胶将发射极和收集极接触孔保护起来,暴露出基极接触孔进行大剂量的硼离子注入,形成基区接触。硼兑软狂躬颗毋渐惊席锦唐蘑邵索吗霖殖毒燕剑风樊怖瞪父森激澡辟惰房捎《微电子学概论》ch4集成电路制造工艺双极集成电路工艺《微电子学概论》ch4集成电路制造工艺双极集成电路工艺