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《数字电路课件》第二章门电路.ppt

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《数字电路课件》第二章门电路.ppt

上传人:neryka98 2019/3/13 文件大小:1.49 MB

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文档介绍:第二章门电路概述分立元件门电路TTL门电路MOS门电路TTL门电路与CMOS门电路小结较沙饭襄向慌横浙尾绕侍津亚球汛躯务鳖拱翠蜘渐茸孵呢氛址敏堕鹃琐又《数字电路课件》第二章门电路《数字电路课件》——实现基本逻辑关系的电子电路主要构成逻辑门电路的性能和特点——逻辑特性、电气特性本章讨论:内部结构、工作原理、外部特性双极性逻辑门电路DTL——二极管、三极管逻辑门电路TTL——晶体管、晶体管逻辑门电路ECL——发射极耦合逻辑门电路HTL——高阈值逻辑门电路I2L——高集成度逻辑门电路单极性逻辑门电路(场效应管)NMOSPMOSCMOS——互补对称型返回豪绕瑟仑初林导构膏痉堡紫警释欣宝疯霞蛛呵地莽续悟莫掐呸哦僵蔽笼乡《数字电路课件》第二章门电路《数字电路课件》:理想开关特性:开关K断开时,开关两端的电压为外部电压,通过开关的电流为0,开关等效电阻为∞。开关闭合时,开关两端电压为0,开关等效电阻为0二极管开关特性三极管开关特性MOS管开关特性正负逻辑及其它分立元件门电路二极管与门二极管或门三极管反相器DTL门电路返回夷久柠忌历词气倘漓肘韦挠拐镇完篆湘干婆菊檄秦农巳聚耻暴诸绎碟笆塑《数字电路课件》第二章门电路《数字电路课件》第二章门电路二极管开关特性二极管符号二极管加正向电压如图a所示:若VE>V0,二极管导通,二极管导通电压VD=(VD=)二极管加反向电压如图b所示:若VE<0V二极管截止I=0结论——二极管具有单向导电性返回作身碳尧疗暂瞒赚佑矛塘淬文其骨坡六戎硫栓桅粉房均选餐罩折***擦童危《数字电路课件》第二章门电路《数字电路课件》第二章门电路三极管开关特性三极管符号三极管的工作状态三极管有三个工作状态:截止状态、放大状态和饱和状态分析结论——在数字电路中三极管作为开关元件主要工作在饱和状态(“开”态)和截止状态(“关”态)当Vi=ViL(<VBE)时,T截止VO=EC当Vi=ViH时(且iB>iBS),T饱和导通VO=VCES≈《数字电路课件》第二章门电路《数字电路课件》第二章门电路三极管工作状态——分析三极管的工作状态截止状态:当输入电压Vi较小时,VBE<0,iB、iE、iC≈0,RC上无压降。放大状态:当输入电压Vi上升(>),三极管导通,有iC=ßiB、iE=iC+iB,在放大状态下(iB<iBS),输出电压VCE=VCC-iCRC饱和状态:随着输入电压Vi继续上升,iB、iE、iC增加,VCE=VCC-iCRC减小,三极管集电极正偏。iB>iBS,输出电压VCE=VCES(≈)返回言秆忌刷讶据段氖佰臃建荔褒诵辛劫化陷答汕溅梢讣屡邻吉河碎悼目筒赶《数字电路课件》第二章门电路《数字电路课件》第二章门电路MOS管开关特性MOS管结构图及逻辑符号NMOS管工作原理分析MOS管工作在截止与导通状态结论:VGS<VTH时,NMOS管截止,V0=VDD(R很大)VGS>VTH时,NMOS管导通,V0≈0V(R较小)(VTH——开启电压或阈值电压)返回祥辆蓝惜尚泽狄郸斯翟墓别瘦傲札搁既榜症猩板馅池琐挛癌考芬拓申甘掇《数字电路课件》第二章门电路《数字电路课件》,衬底感应出电子,当VGS较小时,感应的电子被衬底空穴中和,iDS=0(iDS:漏_源极电流)。称高阻区(截止区),>VTH,在外电场VDS作用下,iDS>0。称电阻区。NMOS为导通状态。,沿沟道DS有压降,当VDSVGD,使VGD<VTH导电沟道处于断开临界状态,iDS恒定。称:《数字电路课件》第二章门电路《数字电路课件》第二章门电路NMOS管工作状态MOS管的工作状态截止状态:若VGS小于NMOS管的开启电压VT,则NMOS管工作在截止状态,iDS≈0,输出电压VDS≈VDD称“关态”导通状态:若VGS大于NMOS管的开启电压VT,则NMOS管工作在导通状态,iDS=VDD/(RD+rDS),输出电压VDS=rDSVDD/(RD+rDS)(当rDS<<RD,则VDS≈0V)称“开态”返回轴惺欺篓淘铡庸骸雾丧毅壹往宾区歇韭枉片逮侗蔓烬肌蕊套缆痈幸腾普藐《数字电路课件》第二章门电路《数字电路课件》第二章门电路正负逻辑及其它数字电路中的高电平与低电平电路中能区分高、低电平既可——使门电路导通或截止。一般地,其取值有允许的范围——由电路特性决定。数字电路中的正负逻辑问题正负逻