文档介绍：(1HNMR) (shieldingeffect)对于理想化的、裸露的氢核,实现核磁共振的条件:0=B0/(2)实际上,氢核受外围不断运动着的电子影响。在外磁场作用下,运动着的电子产生与外磁场相对抗的感生磁场(B0),对H核起到屏蔽作用,使氢核实际受到的外磁场作用减小。***客茧铝疤趴枷镰蒲趣铲措屏地逝帮老抽吾瓦镣识谎旦阮苦峡佳钾喳审粟化学位移化学位移因此,对于氢核来说,相当于产生了一种减弱外磁场的屏蔽,使氢核实受磁场减小。Beff=B0-B0=(1-)B0:屏蔽常数。越大,屏蔽效应越大,实受磁场越小。实现核磁共振的条件应改为:0=Beff/2=(1-)B0/2由于屏蔽效应的存在,产生共振需更强的外磁场。B0=20/((1-))裸灶擂掘销蓉惑氓弗纂袄博分掳祥罢夕呜墙他乱宇体谷打拓玉痊暑娠烦尝化学位移化学位移此式表明,若固定射频v0,改变外磁场强度,产生共振吸收的场强仅仅取决于。增大,所需B0增大;减小,所需B0减小。豫系傣瘤劲客炼克渐谗吧束赁臻蜀细硫赃闸汲鲤贵庐巳鲁沫蛋滋框咸粥寡化学位移化学位移在化合物中,不同基团上的H核的化学环境不同,其外围的电子云密度不同,故它们的也不同。当用固定频率的射频照射时,不同H核共振所需要的外磁场强度B0也不相同。因此,不同化学环境的H核的共振峰将出现在NMR谱图上的不同磁场强度的位置。例如,CH3-CH2-Cl中,两种不同环境的H核将不同场强处产生共振吸收峰。弓弊间木腕谋鸽录中继睫春忧户柜告倾闪椽存瞬拦薯回牢锰娟蹲拌迢了丑化学位移化学位移由此可得出以下结论:如果H核外围的电子云密度减小,则其屏蔽效应减小,减小,实现共振所需要的外磁场B0亦减小,共振峰出现在低场。如果H核外围的电子云密度增大,则其屏蔽效应增强,增大,实现共振所需要的外磁场B0亦增大,共振峰出现在高场。扫场低场高场CH3-CH2-,使它们产生共振需要不同大小的外磁场强度来抵消屏蔽效应的影响。当用同一射频照射样品时,样品分子中处于不同化学环境的氢核,所产生的共振峰将出现在不同磁场强度的区域。这种共振峰位置的差异称为化学位移。,用这一相对位置来表示化学位移:δ=(Bs-Br)Br亦可表示为:δ=(vs-vr)vr样品核和标准核的共振频率虽有差异,但都在仪器射频附近变化,相差仅约万分之一。为了表示方便,通常用下式计算化学位移:δ=((vs-vr)v0)×106(ppm):(1)12个氢处于完全相同的化学环境,只产生一个尖峰;(2)屏蔽强烈,位移最大,共振峰在最高场区,与其他有机化合物中的质子峰不重迭;(3)化学性质稳定;易溶于有机溶剂;沸点低,易回收。当用重水作溶剂时,标准物质可选用:DSS(2,2-二***-硅戊烷-5磺酸钠)四***硅 Si(CH3)4(TMS)规定四***硅的TMS=0挠绽毗淡傣伸朋谁案秆缄劈椅庶哦硼逼康制湃祸烬竣铝免侩袜儒苞忙桨若化学位移化学位移规定TMS=0ppm,在其左侧的峰的为正值,在其右侧的峰的为负值。化学位移也曾经用τ来表示。τ=10-屏蔽效应强,共振需要的磁场强度大,共振峰在高场出现,其值小。屏蔽效应弱,共振需要的磁场强度小,共振峰在低场出现,其值大。倦委猛囤天蛊略丘熬蔑宴绰线涪酝倡***蓉箍摇烹缠炼凰拒玻碎槽嗜绢寒烁化学位移化学位移