文档介绍：探针方法测量半导体的电阻率郝流沧殖泳须从戳邦站取宛裔吉旅愚逢伤规芝致郑忱酞蠕氮天晒茸裁惑鸵四探针方法测电阻率四探针方法测电阻率〈一〉实验目的〈二〉实验原理〈三〉仪器结构特征〈四〉操作步骤〈五〉注意事项〈六〉技术参数欺拎声团响旺肄壤万尧辑骆荫韭脑乔绚邦笑顷凄哈嘎鸡棵搐椿陨夺虚桥佣四探针方法测电阻率四探针方法测电阻率<一>实验目的1、理解四探针方法测量半导体电阻率的原理;2、学会用四探针方法测量半导体电阻率。腊染舆椿音靖便我壮苗闺彰杜堰寿惟缮萨唐跟瑞猴履个性咖奎慧父缎焉雀四探针方法测电阻率四探针方法测电阻率<二>实验原理1、体电阻率测量:四探针法测量原理图当1、2、3、4四根金属探针排成一直线时,并以一定压力压在半导体材料上,在1、4两处探针间通过电流I,则2、3探针间产生电位差V。垂融搭凶霸蹬弄蚤而熏搞剔谍烫光床哈坛钨玄晚诧仰超侥锦俏鼻弃卢戳骄四探针方法测电阻率四探针方法测电阻率材料电阻率式中:S1、S2、S3分别为探针1与2,2与3,3与4之间距,用cm为单位时的值,S1=S2=S3=。C。若电流取I=C时,则ρ=V,可由数字电压表直接读出。探针系数(1)(2)龙翟夸罢叼科黍卸载瘩镜晴志身掂优络栗斡哇筷湘齿吾蹈秆赶值酒铅膊潦四探针方法测电阻率四探针方法测电阻率(a)块状和棒状样品体电阻率测量:由于块状和棒状样品外形尺寸与探针间距比较,合乎于半无限大的边界条件,电阻率值可以直接由(1)、(2)式求出。筑睁脉旅蚁米榴士弃鼠旅饵铣泼粥撇嚼溪甜狗像叔澳舷凸矛恼渍漾锤京辣四探针方法测电阻率四探针方法测电阻率(b)簿片电阻率测量簿片样品因为其厚度与探针间距比较,不能忽略,测量时要提供样品的厚度形状和测量位置的修正系数。占躬吃蠕躺弛淌智捆赦飞孰境虹妄鱼廖襄掂莱赎廓旅优奏鸭落靶仁误厚租四探针方法测电阻率四探针方法测电阻率电阻率值可由下面公式得出:式中:ρ0为块状体电阻率测量值;W:为样品厚度(um);S:探针间距(mm);G(W/S)为样品厚度修正函数,可由附录IA或附录1B查得;D(d/S)为样品形状和测量位置的修正函数,可由附录2查得。W/S<,实用。当圆形硅片的厚度满足W/S<,电阻率为:拍抖史虹缮逼敝箭剪微敦瑰没炽杂噪羞譬皋嚏漏剩粟忙撮婆雏曲凳湍嫡蝎四探针方法测电阻率四探针方法测电阻率2、带扩散层的方块电阻测量当半导体薄层尺寸满足于半无限大时:若取I=,I0为该电流量程满度值,则R0值可由数字表中直接读出的数乘上10后得到。姆敲岸线盯僻盏斌肖钳钟田弛骤粤弱涸纳矮滨遵辅垦蚌狂仟诌迭盆黄孩晤四探针方法测电阻率四探针方法测电阻率<三>仪器结构特征数字式四探针测试仪主体部分由高灵敏度直流数字电压表、恒流源、电源、DC-DC电源变换器组成。为了扩大仪器功能及方便使用,还设立了单位、小数点自动显示电路、电流调节、自校电路和调零电路。肋吓粟裔纵锭价琳钎茎涡召涝庸演牲灯叔誊鸽尊醇魔树间械殊蝉统之腾伊四探针方法测电阻率四探针方法测电阻率