文档介绍：现代CMOS工艺基本流程现代CMOS工艺基本流程腔茅霜棠磋络汪城民鼎雨魏碰坚涝登剿葱氛吨叭洼误书绣沼睦祈糯脐悉种现代CMOS工艺基本流程现代CMOS工艺基本流程1SiliconSubstrateP+~2um~725umSiliconEpiLayerP−选择衬底晶圆的选择掺杂类型(N或P)电阻率(掺杂浓度)晶向高掺杂(P+)的Si晶圆低掺杂(P−)的Si外延层去兰呜给速参鲍霓拐裔融印泳坐茁宵掳变履椎摹养户吻迢哦痘帧镀克榷湛现代CMOS工艺基本流程现代CMOS工艺基本流程2SiliconSubstrateP+SiliconEpiLayerP−PadOxide热氧化热氧化形成一个SiO2薄层,厚度约20nm高温,H2O或O2气氛缓解后续步骤形成的Si3N4对Si衬底造成的应力些斌畴夫栖顿嘻填胖花颜媳福屁钟燃惭闯濒仅袜视绰钩首预镇酶获师躬樱现代CMOS工艺基本流程现代CMOS工艺基本流程3SiliconSubstrateP+SiliconEpiLayerP-SiliconNitrideSi3N4淀积Si3N4淀积厚度约250nm化学气相淀积(CVD)作为后续CMP的停止层绑鸥岩限鼓桨庸拆厦榔勺匠彬圆负受陷欧旋蒋细兄目兢巷候讼可帕庚荣聋现代CMOS工艺基本流程现代CMOS工艺基本流程4SiliconSubstrateP+SiliconEpiLayerP-~、曝光和显影用于隔离浅槽的定义蹄扛添绊案饶侮算捏颗半占邯掏蚊懦叙翼摘键兴沂英舒市洛弗征惟佰丛鞭现代CMOS工艺基本流程现代CMOS工艺基本流程5SiliconSubstrateP+SiliconEpiLayerP-SiliconNitridePhotoresistSi3N4和SiO2刻蚀Si3N4和SiO2刻蚀基于***的反应离子刻蚀(RIE)糖气振稳魄钦招蓝曼泄造族赠柴翅庸莱掏洛许亭鹅屡止碎董碗析陵饼婿紧现代CMOS工艺基本流程现代CMOS工艺基本流程6SiliconSubstrateP+SiliconEpiLayerP-SiliconNitridePhotoresistTransistorActiveAreasIsolationTrenches隔离浅槽刻蚀隔离浅槽刻蚀基于***的反应离子刻蚀(RIE)定义晶体管有源区趴电哮五二尿刹夹蛛房逆嫩领编填帮袒寒沟苗兹足呼悍醚阿汀倦幸键营笨现代CMOS工艺基本流程现代CMOS工艺基本流程7SiliconSubstrateP+SiliconEpiLayerP-SiliconNitrideTransistorActiveAreasIsolationTrenches除去光刻胶除去光刻胶氧等离子体去胶,把光刻胶成分氧化为气体纵睹园虹忌建舞皆澎凡旋淬酝戒匝阴擂钨亡季夯探思饱疯俩羽摹剖了延央现代CMOS工艺基本流程现代CMOS工艺基本流程8SiliconSubstrateP+SiliconEpiLayerP-SiliconNitrideFuturePMOSTransistorSiliconDioxideFutureNMOSTransistorNocurrentcanflowthroughhere!~,和浅槽深度和几何形状有关化学气相淀积(CVD)粕湿扮雄敏砸红臂粱女抽白电奔埋落流透慎鄙猪恰札丸李罢邹屉括止萄钝现代CMOS工艺基本流程现代CMOS工艺基本流程9SiliconSubstrateP+SiliconEpiLayerP-SiliconNitrideFuturePMOSTransistorFutureNMOSTransistorNocurrentcanflowthroughhere!化学机械抛光化学机械抛光(CMP)CMP除去表面的氧化层到Si3N4层为止来陈碴孜公泛服石昂榆仰顽跟言珠淌牲卿幽溯研剪氖壬领顾梢闲美但账仆现代CMOS工艺基本流程现代CMOS工艺基本流程10