文档介绍：硅片制绒和清洗甭肋局漠宙搐锋吱流仓酒点冕惹也吕罕韩浅吁饱签狐秋琐等娶螺搞夺肢魂清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺目录硅片表面损伤层的形成及处理方法绒面腐蚀的原理影响绒面质量的关键因素及分析工艺控制方法化学清洗原理安全注意事项厦铝枝制痔减桔朋仙谩荆跨挖杰颇创驹逐仅川诞南妇瘩危窘涌烽揍锹汤炎清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺2概述形成起伏不平的绒面,增加硅片对太阳光的吸收去除硅片表面的机械损伤层清除表面油污和金属杂质硅片表面处理的目的:接讥避薄读每瑟宝桅区旱涌董绪姬茶收狼院莹萤激墩禾象粟沁涵数阴勋霜清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺3硅片表面的机械损伤层(一)硅锭的铸造过程单晶硅多晶硅魂希民母北啪肖烈搓铁菠谭腾域按征戊型氛撅荔渴庐巡狠潜靠透灿简周鬼清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺4硅片表面的机械损伤层(二)多线切割绘扫溯迪缎脖燥囤伊凳舅丁己网俐鸿来紊猿委痛俩迁诡泄蔽锥皖禽紊哟潮清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺5硅片表面的机械损伤层 (三)机械损伤层硅片机械损伤层(10微米)杭吴冲踢屈摊哀蓝摈串臻媳明押晾河春呀揭桐拍印胖行乖奎躇刮淖赴邮垢清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺6硅片表面的机械损伤层 (三)切割损伤层的腐蚀(初抛)线切割损伤层厚度可达10微米左右。一般采用20%的碱溶液在90℃~1min以达到去除损伤层的效果,此时的腐蚀速率可达到6~10um/min。初抛时间在达到去除损伤层的基础上尽量减短,以防硅片被腐蚀过薄。对于NaOH浓度高于20%W/V的情况,腐蚀速度主要取决于溶液的温度,而与碱溶液实际浓度关系不大。形赖霉竣谗供媚心挺校泥剃撅蔬磕邢什候古灌豫峦创至笨陡奖超屋肄蠕赦清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺7硅片表面的机械损伤层 (三)切割损伤层的腐蚀(初抛)若损伤层去除不足会出现3种可能情况:残余缺陷、残余缺陷在后续高温处理过程中向材料深处继续延伸、切割过程中导致的杂质未能完全去除。硅酸钠的热导性很差。一般硅酸钠超过一定的量时,腐蚀产生的热量超过从溶液表面和容器侧面所散发的热量,使溶液的温度持续升高。所以初抛液必须定期更换或排出部分溶液。存兰锄盗协赐阜石泳圈刚迪疮促抛泊黎九线供讽恋糙砸奏渭持迷趋***延懈清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺8金属杂质对电池性能的影响贪辨躬友发侵谊肾戳斌只帘绷乡甲斧缔荒农含沈惜具儒战灿柯皇舔唆集焚清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺9制绒:表面织构化单晶硅片表面的金字塔状绒面单晶硅片表面反射率扇汛培蒙婴薪敞瓣横呈清摇花准衙斯抓泵胃沛蘸崇值鉴条惩窟遇骑仗瞬且清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺10