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半导体器件的高功率微波毁伤阈值数值计算研究(可复制论文).pdf

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半导体器件的高功率微波毁伤阈值数值计算研究(可复制论文).pdf

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半导体器件的高功率微波毁伤阈值数值计算研究(可复制论文).pdf

文档介绍

文档介绍:,确定高功率微波干扰效能评估体系和方法。为大功率干扰机的总体设究。本文首先阐述了淦鞯闹匾P浴⒎⒄辜癏的产生机理,然后对半为结二极管,所以最后进行了结建模仿真、兄捣治觥其次,对半导体器件的偕算兄导八鹕嘶斫辛朔治觥T诙园氲继最后,对结二极管进行了一维数值模拟。建立了一维稳态和瞬态模型下管在几种不同高功率微波环境下的内部载流子行为,电位及电场分布,得到了牡缪苟云骷苹涤跋斓亩蹋癙岫訦响应的截止频率参数本文研究途径及模拟方法为下一步结器件的二维模拟及试验数据的理论计与研制提供重要的理论依据和实验数据。对提高电子对抗、尤其是雷达对抗的技术水平,保证在未来拥有电磁频谱控制权,具有重要的意义。通常,确定问园氲继迤骷母扇偶八鹕算兄档挠跋炜梢酝ü匝檠究和理论研究的方法。由于受到器件、系统的复杂性和电磁环境诸多因素的限制,准确的试验非常困难,因此有必要从理论上研究电磁脉冲对电子系统的破坏机理,而电子系统的基本组成部分是半导体器件,所以首先要对半导体器件进行研导体器件偕撕抑导八鹕嘶斫辛朔治觯蠖嗍氲继迤骷幕咀槌首先,对牟砑癏武器的发展、重要性做了详细的论述。对牟砑癏产生系统进行了总结。回顾了姆⒄梗⒄雇器件的阂值进行定义的基础上,分析了脉冲⒉ǜ扇畔碌缱由璞钙苹档奈理基础,并建立了微波干扰影响的典型模型。着重分析了半导体器件的损伤机理。并对典型器件进行了讨论。半导体器件所满足的刚性、耦合、非线性偏微分方程组,并对边界条件及参数的确定进行了讨论,然后用砑苑匠套榻辛耸导扑恪DD饬硕关键字:高功率微波一维瞬态过程模拟本文的主要工作在以下几方面:了未来的发展方向。分析与论证奠定了基础。电子科技大学硕士论文.
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签名:立矮二—一日期:论廴垄签名:主阋粃独创性声明关于论文使用授权的说明日期:。呻年¥月本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文的规定,有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或作及取得的研究成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地确的说明并表示谢意。盘,允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文扫描等复制手段保存、汇编学位论文。C艿难宦畚脑诮饷芎笥ψ袷卮斯娑导师签名:/
第一章绪论论文的背景及研究意义标的一种新机理武器,它包括高功率微波武器、高能激光武器和粒子柬武器。定将成为未来信息化战场上对飞机、舰艇、坦克导弹乃至卫星等高价目标的重要武电子设备对拿舾行运孀诺缱由璞赋叽绲募跣《黾樱冉牡缱酉低秤锌功率微波辐射非常敏感。当高功率微波辐射到这些超大规模集成电路时,他们非分析问捌骷问韵低乘鹕四芰棵鲋档挠跋欤芯科骷谒蔡⒏吖β干扰具有十分重要的意义。从研究电子系统的抗辐射及加固方面看,也需要对电究和理论研究的方法。由于受到器件、系统的复杂性和电磁环境诸多因素的限制,只从试验研究和分析难以得的出准确和具有规律性的结果,为了深入、系统地研定向能武器是利用沿一定方向发射与传播的高能电磁波射束以光速攻击目向能武器的攻击目标隐蔽、杀伤力强、既可用于防御、又可用于进攻。因此,它器系统。高功率微波狿峰值功率大于穆龀宸洌哂懈咂德省⒍搪龀几十纳秒透吖β实特点。可同时产生多个工作频率以及以上的微波辐射,氖涑龉β时饶前的电子战干扰机高出~。以光速传播的蕴炱幻舾校恍枰4略的瞄准即可,并且具有在零点几秒的时间内破坏目标电子设备的能力。高功率微波武器对电子元器件特别是对半导体的辐射可造成器件的软损伤或失效,甚至在目标系统关闭的时候,电子设备都能烧毁。它可以通过系统上的天线、电缆接头和孔缝等耦合到系统中去,导致电子元器件暂时失效或永久损坏,通常能最容易受损。目前电子设备中大量使用先进的超大规模数字集成电路,这些电路中的器件尺寸已达深亚微米,时钟频率高达,逻辑电平为愿常容易受到干扰和破坏。因此芸赡苁嵌愿断冉淦髦械缱酉低车闹匾J段,可能是末来高科技战争中一种新颖的软杀伤和电子对抗手段,具有威慑作用。微波极端条件作用下的状态翻转,得出规律性结论,提高对电子系统的干扰和抗子器件进行在肪诚碌囊姿鹦云拦篮虷电子对抗有效性研究。通常,确定问园氲继迤骷母扇偶八鹕嗣鲋档挠跋炜梢酝ü匝檠究,因此有必要从理论上研究电磁脉冲对电子系统的破坏机理,而研究组

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