文档介绍：D/B焊接方式:a压力共晶焊(Eutectic)在一定的压力,时间和高温作用下,晶片背面的金和LDF表面的镀银加热到其共熔液相线区域,形成金银合金的铺金/浸润/熔湿(wetting),并把芯片粘贴到LDF表面。Wetting435℃共晶焊接通常在热氮氢混合气的保护下进行FormingGas:95%N2+5%H2/90%N2+10%H2N2:保护气体H2:还原气体优点:高效、快速(MaxUPH:24k/hour)缺点:浸润不良的结合(PoorSi-R)将导致空洞的存在使接合强度与热传导性降低,同时也会造成应力分布不均匀而导致晶片破裂损坏;只适用于较小Size的晶片焊接(通常Size≤);高温导致吸嘴(Collet)的磨损加剧,寿命减短;高温会对某些晶片产品有损伤(如Moseft)三要素:压力、时间、温度b银胶焊(Epoxy)导电银胶:Silverpaste(环氧树脂与70%的银粉)非导电银胶:陶瓷填充物二氧化矽(silica)、氮化硼(boronnitride)等或聚四氟乙烯(teflon)等高分子填充物粉粒。优点:高分子材料与铜框架LDF材料的的热膨胀系数相近,有助于减小芯片与LDF间的应力,热传导性及导电性好,可用于较大SIZE芯片缺点:速度较慢(UPH≤15k/hour)需要增加Curing工艺以固化银胶。银迁移的现象和空洞(void)的存在热稳定性不良与易导致有机成分的泄漏会影响封装的可靠性材料:LDFIndexHole索引孔FlagStrip放置芯片的地方PostLead引出端Tie-Bar连接柱Runner滑行架HalfMoon半月孔D/B机器组织结构D/B工作步骤:PickUpTimingChartPickupSetting(Collet&Needle)WB:焊接方式:1)热压(pressionbonding,T/C)(铝线焊接)2)超声波热压接方式(thermosonic&ultrasonicbonding,U/S&T/S)在一定的压力、超声和温度共同作用一定时间下,将金球压接在芯片的铝盘焊接表面(金丝球焊)材料:金线20---100um铝线Al-1wt%Si合金线高纯度铝线(20—50um)(100—500um)铜线20---80um要素:压力、超声波、温度、时间焊接过程